硅素の英語

炭化硅素結晶の液相成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE CRYSTAL IN LIQUID PHASE - 特許庁

炭化硅素単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

こて先先端部１及び筒状部２は硅素の含有割合が６％の鉄−硅素合金で一体に形成する。例文帳に追加

The iron tip part 1 and the cylindrical part 2 are integrally formed of Fe-Si alloy containing 6% Si. - 特許庁

溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。例文帳に追加

To produce a silicon carbide single crystal with low dislocation density by a solution process. - 特許庁

硅素塩化物Ｃについては、ＳｉＨＣｌ_3生成工程へ戻す。例文帳に追加

The silicon chloride C is returned to the SiHCl_3 production step. - 特許庁

鋳鉄の溶湯中の硅素および燐の含有量を測定する方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING CONTENTS OF SILICON AND PHOSPHORUS IN MOLTEN CAST IRON - 特許庁

低減したミクロ多孔性を有するアルミニウム硅素合を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum-silicon alloy having reduced microporosity. - 特許庁

耐熱性のダイヤモンド様薄膜は、基材の表面に形成され、硅素を含み、基材との界面における硅素濃度が、表面における硅素濃度よりも高く、基材との界面と表面との間における硅素濃度の変化が連続的である。例文帳に追加

The heat-resistant diamond-like thin film is formed on a surface of a base material, and contains silicon wherein the concentration of the silicon in the boundary to the base material is higher than the concentration of the silicon in the surface, and the change of the concentration of the silicon between the boundary to the base material and the surface is continuous. - 特許庁