解像線幅の英語

感度、解像力に優れ、しかも矩形なプロファイルが得られる電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物の開発である。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays excellent in sensitivity and resolving power and giving a rectangular profile. - 特許庁

撮像装置における車線幅方向の分解能を維持でき、かつ、撮像装置における車両走行方向の視野を広げることができる。例文帳に追加

To maintain the resolution of an image pickup device in the direction of the width of a lane and to widen the visual field of the image pickup device in the traveling direction of a vehicle. - 特許庁

画像の解像度変換を行う場合、ぼけを少なくすると共に、テキスト等の線幅が不均等になるのを軽減する。例文帳に追加

To reduce blurs and unequalness of the line width of a text, etc., in the case of converting the resolution of a picture. - 特許庁

電子ビームを含む放射線に対して高い感度、高い解像度を有する膨潤のない解像性能の優れた化学増幅型感放射線レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type radiation sensitive resist composition which has high sensitivity and high definition to radiation including electron beams, is free of swelling and has high resolution and a pattern forming method using the same. - 特許庁

露光装置の解像度を超える微細パターンを、露光装置の露光限界を上げることなくプロセス技術を組み合わせて実現する超解像技術を用いて、略同一の配線幅を有する配線パターンを提供する。例文帳に追加

To provide a wiring pattern having a substantially identical wiring width by using a super resolution technology able to realize a fine pattern beyond the resolution of an exposure apparatus by combining process technologies without raising the resolution limit of the exposure apparatus. - 特許庁

次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜５を、化学増幅レジスト膜３を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜３を現像処理してパターンを形成する。例文帳に追加

The mask blank is patternwise irradiated with the radiation 4, the protective film 5 is dissolved and removed with a solvent which does not substantially dissolve the resist film 3, and the resist film 3 is developed to form a pattern. - 特許庁

写真工程の解像度を越える最小線幅を有するトレンチを絶縁膜の内に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a method for forming a trench having a minimum line width exceeding resolution of a picture process inside an insulation film. - 特許庁

露光装置の解像限界よりも狭い線幅を有するラインパターンを形成可能な微細パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of a fine pattern capable of forming a line pattern having a narrower line width than a resolution limit of an exposure device. - 特許庁