「解像線幅」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電子線またはＸ線の使用に対し感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の諸特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies various characteristics such as sensitivity, resolution, resist shape, development defects, suitability to coating and solubility in a solvent when electron beams or X-rays are used. - 特許庁

また、画像処理装置２は、水平方向及び垂直方向の細線に対して線幅保存処理を施すことにより、縮小画像における線幅の不均一を解消する。例文帳に追加

The processor 2 applies light width saving processing to thin lines in horizontal and vertical directions to solve the nonuniformity of the line width in miniature images. - 特許庁

感度、解像力に優れ、しかも矩形なプロファイルが得られる電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物の開発である。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays excellent in sensitivity and resolving power and giving a rectangular profile. - 特許庁

撮像装置における車線幅方向の分解能を維持でき、かつ、撮像装置における車両走行方向の視野を広げることができる。例文帳に追加

To maintain the resolution of an image pickup device in the direction of the width of a lane and to widen the visual field of the image pickup device in the traveling direction of a vehicle. - 特許庁

画像の解像度変換を行う場合、ぼけを少なくすると共に、テキスト等の線幅が不均等になるのを軽減する。例文帳に追加

To reduce blurs and unequalness of the line width of a text, etc., in the case of converting the resolution of a picture. - 特許庁

電子ビームを含む放射線に対して高い感度、高い解像度を有する膨潤のない解像性能の優れた化学増幅型感放射線レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type radiation sensitive resist composition which has high sensitivity and high definition to radiation including electron beams, is free of swelling and has high resolution and a pattern forming method using the same. - 特許庁

露光装置の解像度を超える微細パターンを、露光装置の露光限界を上げることなくプロセス技術を組み合わせて実現する超解像技術を用いて、略同一の配線幅を有する配線パターンを提供する。例文帳に追加

To provide a wiring pattern having a substantially identical wiring width by using a super resolution technology able to realize a fine pattern beyond the resolution of an exposure apparatus by combining process technologies without raising the resolution limit of the exposure apparatus. - 特許庁

次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜５を、化学増幅レジスト膜３を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜３を現像処理してパターンを形成する。例文帳に追加

The mask blank is patternwise irradiated with the radiation 4, the protective film 5 is dissolved and removed with a solvent which does not substantially dissolve the resist film 3, and the resist film 3 is developed to form a pattern. - 特許庁

写真工程の解像度を越える最小線幅を有するトレンチを絶縁膜の内に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a method for forming a trench having a minimum line width exceeding resolution of a picture process inside an insulation film. - 特許庁

露光装置の解像限界よりも狭い線幅を有するラインパターンを形成可能な微細パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of a fine pattern capable of forming a line pattern having a narrower line width than a resolution limit of an exposure device. - 特許庁

高解像度であり、且つパターン倒れマージンに優れた化学増幅型レジストとして有用なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive radiation-sensitive resin composition having high resolution and useful as a chemically amplified resist excellent in a margin for pattern collapse. - 特許庁

化学増幅型レジストとして、特にパターン形状に優れ、かつ感度、解像度等にも優れた放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition excellent particularly in pattern shape as a chemical amplification type resist and excellent also in sensitivity, resolution, etc. - 特許庁

解像力等の諸機能に優れた化学増幅型の感放射線性ポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type radiation sensitive positive type resist composition excellent in various functions such as resolving power. - 特許庁

ボケ量推定手段１１０は、Ｘ線照射パルス時間幅から被写体中の計測関心点における解像度ボケ量を推定する。例文帳に追加

A degree of blur estimation means 110 estimates the degree of blur in the resolving power at an interest point of measurement in the object from the time ranges of the X-ray irradiation pulses. - 特許庁

解像度が画面垂直方向、水平方向にそれぞれ１／ｎ＿Ｖ、１／ｎ＿Ｈに低下する場合、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅がｎ＿Ｈ画素以上であるフォントを使用する。例文帳に追加

When a resolution vertically and horizontally decreases to 1/n_V and 1/n_H, a font that has a horizontal line width of n_V pixels or greater and a vertical line width of n_H pixels or greater is used. - 特許庁

放射線に対する透明性、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等を含めた幅広い特性に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in various properties including transparency to a radiation, sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape, and useful as a chemically amplified resist. - 特許庁

視点数増大によって解像度が低下しても、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅が少なくともｎ＿Ｈ画素以上のフォントは、左右両方の眼に表示されるので、両眼視野闘争は発生しない。例文帳に追加

Even if an increase in the number of viewpoints decreases the resolution, the font in which the horizontal line width is n_V pixels or greater and the vertical line width is at least n_H pixels or greater is displayed for right and left eyes, so that visual rivalry is prevented from occurring. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve the problems that conventionally performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity, resolution and resist shape, when electron beams or X-rays are used. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To solve the problem in performance enhancing technique in micromachining of a semiconductor element using electron beams or X-rays, and provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies the sensitivity, degree of resolution and resist shape characteristics. - 特許庁

電子線またはＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する電子線またはＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity and resolution, resist shape characteristics to the use of electron beams or X-rays. - 特許庁

電子線またはＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する電子線またはＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity, resolution and resist shape in the use of electron beams or X-rays. - 特許庁

電子線またはＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a negative chemically amplifable resist using electronic rays or X-rays satisfying requirements on sensitivity and resolution and resist form characteristics. - 特許庁

さらに、低解像度光学系と高解像度光学系の両方を具えることにより、円形又は矩形のパターン欠陥とＣＤエラーのような微細線幅の欠陥の両方を同時に検出することができる。例文帳に追加

Also, by having both a low resolution optical system and a high resolution optical system, both a circular or a rectangular pattern defect and a defect of fine line width such as an CD error can be detected simultaneously. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity and resolution in the use of electron beams or X-rays, resist shape, development defects, appliability and solubility in a solvent. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状、現像欠陥、塗布性及び溶剤溶解性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve the problems of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used and also satisfies characteristics such as development defects, suitability to coating and solubility in a solvent. - 特許庁

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。例文帳に追加

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2). - 特許庁

測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。例文帳に追加

A wiring width profile is acquired from image data to be measured, and the dimensions of a lower layer, such as, the width and pitch of the activation region are acquired from a design database; and an activation analysis region is set with the width and pitch acqired, and the position from an end of the image is denoted as (x). - 特許庁

画像解析装置１００は、鏡筒２００を使用して撮像したチャートの画像を取り込んで、チャート画像上のくさびパターンの線幅、およびコントラストを算出し、これらの算出結果に基づいて限界ＴＶ解像縞本数を算出する。例文帳に追加

In an image analyzing apparatus 100, the image of a chart picked up by using the lens barrel 200 is taken in to calculate line width and contrast of a wedge pattern on the chart image, and the number of critical TV resolution stripes is calculated on the basis of these calculation results. - 特許庁

高い解像性と良好な保存安定性を与え、電子線、遠紫外線、極紫外線などを用いた微細加工に有用な化学増幅レジスト材料の提供。例文帳に追加

To provide a chemical amplifying resist material that provides high resolution and storage stability, and is useful for microfabrication using an electron ray, a far-ultraviolet ray, and an extreme ultraviolet ray. - 特許庁

近接効果やマイクロローディング効果の影響を排除し、レジスト倒れを抑制し、配線幅や配線間隔が露光装置の解像度限界程度に小さい配線パターンを得る。例文帳に追加

To obtain a wiring pattern whose wiring width and wiring interval are small almost to resolution limits of an exposure device by eliminating influence of proximity effect and micro-loading effect and suppressing resist fall. - 特許庁

高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有するポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist material having both chemical amplification and non-chemical amplification functions, which has high sensitivity and high resolution in exposure with high-energy radiation, and a patterning process using the same. - 特許庁

解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method capable of forming a pattern with an excellent resolution, a wide exposure latitude (EL) and a small line width variation (LWR), a chemical amplification resist composition used in the method, and a resist film. - 特許庁

ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動低減、また高解像性の化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition featuring a high resolution, reduced line edge roughness, and a minimized variation of line width with changing temperature, and a pattern forming process using the same. - 特許庁

配線の微細化が進むと、実際の配線幅に比較して画像中の配線の幅方向のピクセル数が不十分になり、検査精度を向上させるために、撮影倍率を向上させると、処理能力が落ちて、生産性が落ちてしまうという課題を解消できる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for solving such problems that, when the pixel number in the width direction of wiring in an image becomes insufficient as compared with the actual wiring width if microfabrication of the wiring is progressed and the photographing magnification is improved in order to improve inspection accuracy, the processing capability drops and productivity drops. - 特許庁

本発明による方法およびシステムを用いると、連続的に多重解像度３次元画像を再構成する技術により、高画質の３次元Ｘ線透視画像の表示にかかる時間を大幅に短縮することができる。例文帳に追加

The method and the system of this invention can significantly reduce the time required to display high quality three-dimensional X-ray fluoroscopic images by utilizing the technique for continuously reconstructing the multi-resolution three-dimensional image. - 特許庁

例えば塗布、現像装置において、レジストの解像反応の進行を抑えて露光装置から加熱部まで基板を搬送し、現像線幅の均一性を高めること。例文帳に追加

To provide an applying/developing apparatus, capable of transferring a substrate from an exposure system to a heating section, and restraining a resolution reaction from proceeding in a resist so as to improve a developed line in uniformity of width. - 特許庁

上面（基板に接する面の反対側の露出面）の撥インク性に優れ、解像度及び基板との密着性に優れ、線幅ばらつきが抑えられたパターン画像を形成できる画像形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming method excellent in ink repellency on an upper face (exposed face opposite to a face contacting a substrate), excellent in resolution and tightness to the substrate, and capable of forming a pattern image with a line width restrained from being dispersed. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上及び従来の問題点を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して良好な感度、解像度、レジスト形状に加え、現像欠陥を低減し、良好な塗布性を有する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To enhance performance in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays, to solve the conventional problems and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays having good sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used, reducing development defects and having good suitability to coating. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能の向上及び技術課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度、解像度、レジスト形状、現像欠陥、及び塗布性の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To enhance performance and to solve technical problem in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies characteristics such as sensitivity, resolution, resist shape, development defects and appliability in the use of electron beams or X-rays. - 特許庁

溶解性および解像性能に優れ、かつ、マスク依存性が小さくＬＷＲの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in solubility and resolution performance and can form a chemically amplified resist with small mask dependency and small LWR, and a polymer used in the composition. - 特許庁

特にＡｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線に対する感度、解像度が優れ、パターン形状等にも優れる新規な化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution for far UV rays as typified by an ArF excimer laser, excellent in the pattern profile or the like, and suitable as a chemically amplifying resist. - 特許庁

各種の放射線に有効に感応し、感度および解像度に優れ、かつ長期保存安定性に優れる、ポジ型の化学増幅型多層レジストとして有用な感放射線性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive composition being effectively responsive to various types of radiations, having excellent sensitivity and resolution, and also having excellent long-term shelf stability and useful as a positive type chemical amplification type multilayer resist. - 特許庁

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等に優れる化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to a radiation and useful as a chemically amplified resist excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and pattern shape. - 特許庁