「解像線幅」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

所望の高感度及び高解像度の両立を達成することのでき、矩形プロファイルが得られ且つ減圧条件下における電離放射線照射後引き置き時の線幅変化が低減されたネガ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a negative type resist composition capable of achieving both desired high sensitivity and high resolution, giving rectangular profile and ensuring a reduced change of line width when allowed to stand after irradiation with ionizing radiation under reduced pressure. - 特許庁

電子部品搭載部の配線がセミアディティブ法に使用するめっきレジストの解像度以下の微細な配線幅とした回路基板を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit board in which a wiring of an electronic component mounting part has a micro wiring width which is equal to or less than a plating resist resolution, for use in a semi-additive method. - 特許庁

また、紫外線レーザビームを使用するので、線幅の解像度を０.５μｍ程度にでき、大面積基坂上に電流駆動能力が高く高精細な多結晶ＴＦＴを形成できる。例文帳に追加

Further, with the use of ultraviolet ray laser beams, the resolution in line width is about 0.5 μm level, allowing a fine polycrystalline TFT with high current driving capacity to be formed on a large-area substrate. - 特許庁

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像性能、感度及び焦点深度余裕の向上と共に、パターン形状の向上ができる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiosensitive resin composition having a chemically amplifying light-sensitive film to far-ultraviolet radiation with improved pattern form together with improved resolving performance, sensitivity and focal depth latitude. - 特許庁

半導体装置は、基板上の任意のレベル層に設けられ、かつ露光技術の解像限界より小さい配線幅及び間隔を有するパターンで形成された複数の第１の配線層１２と、同一レベル層内で複数の第１の配線層１３の間に設けられ、かつ第１の配線層１３より大きい配線幅を有する第２の配線層１４とを含む。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a plurality of first wiring layers 12 formed on an optional level layer on a substrate and formed of patterns having wiring widths and pitches smaller than those of a solution limit of an exposure technology; and second wiring layers 14 formed between the plurality of first wiring layers 13 in the same level layer and having a wiring width larger than that of each of the first wiring layers 13. - 特許庁

ＰＥＤによりレジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、反射率の高い基板上でも定在波を発生することがなく、解像性能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition prevented from occurrence of change of the line width of a resist pattern by PED and that of T forms and that of stationary waves even on a substrate high in reflectance and high in resolution and useful as a chemically sensitizable resist. - 特許庁

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability. - 特許庁

ドライエッチング耐性、放射線に対する透明性、解像度、現像性等に優れた化学増幅型レジストに使用されるポリシロキサン系樹脂の原料等として有用な新規ケイ素含有脂環式化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a new silicon-containing alicyclic compound useful as a raw material for polysiloxane resins used for chemical amplification resists having excellent dry etching resistance, transparency to radiation, resolution, a developing property. - 特許庁

回路線幅均一度（ＣＤ Uniformity）、解像度、現像コントラスト、接着性に優れ、特に感光速度、残膜率及び耐熱性に優れたフォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist composition which is excellent in circuit linewidth uniformity (CD uniformity), resolution, development contrast and adhesiveness and particularly excellent in sensitization speed, residual film ratio and heat resistance. - 特許庁

液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure/development method featuring high resolution and high line width precision on the surface, which is capable of removing watermarks and spots produced at the time of liquid immersion exposure without doing damage to resist. - 特許庁

画素、ブラックマトリクスなど幅が小さく高精細な高解像度部分においては、印刷版用基板２１の表面上にネガレジスト４１を塗布し、これを露光、現像することによって細線パターンを形成する。例文帳に追加

In a highly accurate high-resolution part in which a pixel, a black matrix or the like is narrow, a negative resist 41 is applied on the surface of the substrate 21 of printing plate and, by exposing and developing the applied resist, a fine line pattern is formed. - 特許庁

この結果、撮像装置１における車線幅方向の分解能を維持でき、かつ、撮像装置１における車両走行方向の視野を広げることができる。例文帳に追加

As a result, the resolution of the image pickup device 1 in the direction of the width of the lane can be maintained and the visual field of the image pickup device 1 in the traveling direction of the vehicle can be widened. - 特許庁

ノイズ低減効果または映像解像度低下抑制効果を高めつつ、ノイズ低減処理を行うための回路または出力信号が供給される後段回路における信号線のバス幅を削減する。例文帳に追加

To decrease the bus width of signal lines at a circuit for carrying out noise reduction processing or at a post-stage circuit to which an output signal is supplied while enhancing a noise reduction effect or a suppression effect against deterioration in video resolution. - 特許庁

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストであって、特にArFエキシマーレーザー光に対する透明度が良好で解像度及び感度特性も優秀で、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが顕著に優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified resist composition sensitive to far UV, having good transparency particularly to ArF excimer laser beam, excellent also in resolution and sensitivity characteristics and remarkably excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance, developability, etc. - 特許庁

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve the problem of a performance enhancing technique proper to microfabrication using an active ray or radiation, particularly an electron beam or X-ray and to provide a chemically amplified negative resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when an electron beam or X-ray is used. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying sensitivity, resolution and resist shape in the use of electron beams or X-rays. - 特許庁

電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線またはＸ線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する電子線又はＸ線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物の開発である。例文帳に追加

To solve the problems of a performance enhancing technique in the micromachining of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to obtain a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays which satisfies sensitivity and resolution, resist shape characteristics to the use of electron beams or X-rays. - 特許庁

特に、遠紫外線や、電子線等の荷電粒子線に感応し、解像性能およびパターン形状が優れるとともに、特にナノエッジラフネスが小さい化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition, sensitive particularly o far UV and charged particle beams, such as electron beam, having superior resolution and pattern shape and suitable particularly for use as a chemical amplification type resist which has small nano-edge roughness. - 特許庁

遠紫外線や荷電粒子線に代表される放射線に対して、高感度（低露光エネルギー量）で、解像性能に優れるとともに、ナノエッジラフネスが小さい化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition having such high sensitivity to radiation typified by far UV or charged particle beams as to require a small quantity of energy for exposure, excellent in resolving power and suitable for use as a chemical amplification type resist having low nano- edge roughness. - 特許庁

（Ａ）特定構造を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）特定構造を有する成分、を含有する化学増幅型レジスト組成物により達成される。例文帳に追加

The chemically amplified resist composition contains: (A) a resin which has a specified structure and which is decomposed by the effect of an acid to increase its solubility with an alkaline developing solution; (B) a compound which generates an acid by irradiation of active rays or radiation; and (C) a component having a specified structure. - 特許庁

放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition suitable for use as a chemically amplified resist having high transparency to a radiation, capable of solving the problem of trade-off particularly of resolution and exposure margin, and excellent also in dry etching resistance and a pattern shape. - 特許庁

本発明は、中抜けのある投影光学系を使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an exposure method and exposure apparatus, and a method of manufacturing a device and the device, where a pattern having a line width larger than a resolution limit is transferred in desired contrast to secure a desired resolution when a projection optical system clearing in midsection is used. - 特許庁

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used. - 特許庁

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本性能に優れるとともに、微細パターン領域での高い現像性を有する化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency for radiation, excellent basic performances as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching durability, pattern profile, and suitable as a chemical amplification type resist having high resolution property in a fine pattern region. - 特許庁

化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield. - 特許庁

活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2 エキシマレーザーあるいはEUVに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、高解像度で、放射線透過率が高い感放射性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having a high resolution and a high radiation transmittance as a chemically amplified resist sensitive to an actinic radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, F_2 excimer laser or far UV typified by EUV (extreme-ultraviolet radiation). - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ_2エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像度およびＬＥＦ耐性に優れた感放射線性樹脂組成物、およびこの感放射線性樹脂組成物に使用できる共重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolving power and LEF resistance as a chemically amplified photoresist responding to far-ultraviolet radiation represented by KrF excimer laser, ArF excimer laser and F_2 excimer laser, and a copolymer which can be used for the radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

電子線や極紫外線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition capable of forming a chemically amplified resist film which effectively responds to electron beams or extreme ultraviolet rays and has excellent nano edge roughness, sensitivity, and resolution to stably produce a fine pattern with a high degree of accuracy. - 特許庁

ＤＯＦ、保存安定性、解像性、パターン形状が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has improved DOF (Depth Of Focus), storage stability, resolution and pattern features and suitable even for a liquid immersion process for a line width of not more than 45 nm, and to provide a pattern forming method using the composition. - 特許庁

イメージの帳票搬送方向の解像度を上げることでイメージの欠落がページマークの棒線の線幅を削るように発生している場合にはその棒線が雑音成分として排除されにくくなり、ページマークの読取信頼性が向上する。例文帳に追加

A bar line is hardly eliminated as a noise component when a default of the image is generated to rub out a line width of the bar line in the page mark by increasing the resolution for the image along the document conveying direction, so as to enhance reading reliability for the page mark. - 特許庁

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像度、エッチング耐性およびラインエンドフォアショートニング耐性に優れた感放射線性樹脂組成物、およびこの感放射線性樹脂組成物に使用できる共重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent resolution, etching resistance and line-end foreshortening resistance as a chemically amplified resist responding to far ultraviolet light and provide a copolymer usable in the radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

電子線や極紫外線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物及びそれに用いられる重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition capable of forming a chemically amplified resist film which effectively responds to electron beams or extreme ultraviolet rays and has excellent nano edge roughness, sensitivity, and resolution to stably produce a fine pattern with a high degree of accuracy, and to provide a polymer used therefor. - 特許庁

ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、電子線または極紫外線に有効に感応するＥＢ、ＥＵＶ用として好適な化学増幅型ポジ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive radiation-sensitive resin composition that is superior in roughness, etching resistance, sensitivity and resolution, capable of stably forming a fine pattern with high accuracy, and suitable for use as a resin composition for EB or EUV, effectively sensitive to an electron beam or extreme-ultraviolet radiation. - 特許庁

被写体の輪郭を抽出する輪郭抽出回路１１３と、輪郭抽出回路１１３で抽出した輪郭を解析して、一定間隔を隔てた２点における輪郭線の幅を比較し、その比較した２つの輪郭線の幅から体位を判別する解析回路１１４とを画像処理装置に備える。例文帳に追加

An image processing apparatus is provided with a contour extraction circuit 113 for extracting the contour of the object, and an analytic circuit 114 for analyzing the contour extracted by the contour extraction circuit 113 and comparing the widths of contour lines in two points separated at a fixed interval to discriminate a posture from the compared widths of the two contour lines. - 特許庁

電子線リソグラフィにおいて、ドライエッチング耐性に優れ、エッジラフネスが小さい、化学増幅型高解像度・高精度レジスト膜パターンの形成を可能にする。例文帳に追加

To form a high resolution and high accuracy chemically amplified resist film pattern having excellent dry etching resistance and small edge roughness in electron beam lithography. - 特許庁

放射線に対する透明性、ドライエッチング性、感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れるレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物の提供。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type resist composition giving a resist pattern having excellent transparency to radiation, dry etching properties, sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc. - 特許庁

特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与える化学増幅型レジスト用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type resist composition giving a resist pattern excellent in transparency particularly to radiation and property for dry etching and excellent further in sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc. - 特許庁

化学増幅型レジストとして特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与えるネガ型レジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a negative type resist composition excellent in transparency particularly to radiation and dry etching resistance as a chemical amplification type resist and giving a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc. - 特許庁

波長１９３ｎｍ以下における透明性が高く、解像度等のレジストとしての基本物性にも優れた化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency at ≤193 nm wavelength and excellent basic physical properties as a resist such as resolution or the like and suitable as a chemically amplifying resist. - 特許庁

化学増幅型レジストとして、特にパターン形状に優れ、かつドライエッチング耐性、感度、解像度等を含めた特性バランスにも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition excellent particularly in pattern shape as a chemical amplification type resist and excellent also in balance of characteristics including dry etching resistance, sensitivity and resolution. - 特許庁

解像性能に優れ、かつ、ＭＥＥＦが小さくＬＷＲの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体を提供することである。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition having excellent resolution performance and forming a chemically amplifying type resist having a small MEEF and a small LWR, and also to provide a polymer used therefor. - 特許庁

本体マーク部５は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。例文帳に追加

The main body mark part 5 is formed of a space pattern which has small line width enough to be resolved in a photosensitive film and formed by being bored in a light shield film, or a line pattern which is formed by leaving the light shield film. - 特許庁

パターン形状の方向や線幅等により最適な照明系を選択して高解像力の投影露光が可能な半導体素子の製造に好適な投影露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。例文帳に追加

To obtain a projection aligner and a method for fabricating a semiconductor element suitable for fabrication of such a semiconductor element as high resolution projection alignment is ensured by selecting an optimal illumination system depending on the direction, line width, and the like, of a pattern shape. - 特許庁

文字表示装置において、大容量の作業用メモリを用いることなく、サブピクセルの長手方向の解像度を擬似的に向上させると共に、自由に文字の線幅を変更することができるようにする。例文帳に追加

To virtually improve the lengthwise resolution of subpixels of a character display device and to freely vary the line width of a character without using a large-capacity work memory. - 特許庁

ビット線の幅をフォトリソグラフィの解像限界で決まる最小加工寸法以下まで微細化することによって、ＤＲＡＭのメモリセルサイズを縮小する。例文帳に追加

To enable a DRAM to be lessened in memory cell size by reducing the width of a bit line to a minimum processing dimension or below determined by a resolution limit of a photolithography technique. - 特許庁