crystal growth rateとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for growing a single crystal SiC with a fast growth rate of the crystal.例文帳に追加

結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a group III nitride crystal having a high rate of crystal growth.例文帳に追加

結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process.例文帳に追加

結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal having a higher crystal growth rate.例文帳に追加

結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method for a silicon carbide single crystal which method hardly causes micropipe defects and improves the crystal growth rate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥が発生しにくく、かつ結晶成長速度を向上させた炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a feed material for epitaxial growth of single crystal silicon carbide enabling to increase epitaxial growth rate of single crystal silicon carbide.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate.例文帳に追加

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To promote the reduction of the decline in growth rate of SiC single crystal, the long time growth of SiC single crystal, and the reduction of the residual amount of SiC powdered raw material.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の成長速度の低下の低減、ＳｉＣ単結晶の長時間成長、ＳｉＣ粉末原料の残留の低減を図る。 - 特許庁