crystal growth processとは 意味・読み方・使い方

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control.例文帳に追加

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する． - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR CHARGING LIQUEFIED AMMONIA, PROCESS FOR PRODUCTION OF NITRIDE CRYSTAL, AND REACTOR FOR GROWTH OF NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

液化アンモニアの充填方法、窒化物結晶の製造方法、および、窒化物結晶成長用反応容器 - 特許庁

In the growth of a single crystal by the CZ process, the polycrystalline raw material is initially charged into the crucible 3.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶育成に際して、ルツボ３内に多結晶原料を初期チャージする。 - 特許庁

As just described, at the initial stage of growth, a good single crystal is grown in the first process, and thereafter the single crystal is further grown at a higher growth speed in the second process.例文帳に追加

このように、成長初期においては、第１工程によって良好な単結晶を成長させ、その後は、第２工程によって速い成長速度で単結晶を成長させるようにする。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS OF EPITAXIAL WAFER, AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ - 特許庁

A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50.例文帳に追加

種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。 - 特許庁