crystal growth furnaceとは 意味・読み方・使い方

To provide a crystal growth apparatus for producing a high-quality single crystal by preventing deposits in a furnace from falling onto a grown crystal or into a raw material solution.例文帳に追加

炉内付着物の成長結晶および原料溶液への落下を防止し、高品質の単結晶を製造する。 - 特許庁

Also, the fog of a peephole for in-furnace observation is reduced and the in-furnace visibility during crystal growth can be improved.例文帳に追加

また，炉内観察用の覗き窓の曇りを軽減し，結晶成長時の炉内視認性を向上することができる。 - 特許庁

To remove a residual gas or particles left within a reaction furnace after growth of a group III-V compound semiconductor crystal, a large quantity of high-temperature inert gas is introduced into the reaction furnace, and then the growth sequence of semiconductor crystal is started.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体結晶の成長後の反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去するために、反応炉内に高温の不活性ガスを多量に導入し、その後半導体結晶の成長シーケンスを開始する。 - 特許庁

The apparatus for growing the crystal is equipped with a crystal growth furnace 9 equipped with a quartz crucible 1, a precursor melting furnace 10 and a supplying means 22 which repetedly supplies a melted precursor 3 from the precursor melting furnace 10 to the quartz crucible 1.例文帳に追加

結晶成長装置は、石英坩堝１を備えた結晶成長炉９と、原料溶融炉１０と、前記原料溶融炉１０から溶融原料３を前記石英坩堝１に繰り返し供給する供給手段２２とを備える。 - 特許庁

A Co rutile single crystal 1 used for the magneto-optic element is manufactured in a crystal growth apparatus equipped with an FZ furnace 4.例文帳に追加

この磁気光学素子に用いるＣｏルチル単結晶１は、ＦＺ炉４を備えた結晶育成装置によって製造される。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a seed crystal into a shape suitable for crystal growth in a crystal growth furnace, the seed crystal having a caving center portion at the bottom end compared to the circumference edge caused by troubles in the crystal growth furnace while producing a metal fluoride single crystal by Czochralski method or Kyropoulos method.例文帳に追加

チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent, in growth of nitride single crystal in a furnace by a flux method, the unevenness in growing state of the nitride single crystal and the increase of defectives resulting from a difference in temperature in the furnace.例文帳に追加

フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。 - 特許庁

Only the growth source region 3 is doped with nickel and thermally treated in an electric furnace, and a crystal grain originated from the growth source region 3 is sent to the element forming region 4 through the amorphous silicon path 5, and the crystal is grown in the region 4.例文帳に追加

成長源領域３のみにニッケルを添加した後、電気炉で加熱処理を行って、成長源領域３から発生した結晶粒を、非晶質珪素経路５を介して素子形成領域４へ結晶成長させる。 - 特許庁