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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > metal single crystal surfaceの意味・解説 

metal single crystal surfaceとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「metal single crystal surface」の意味

metal single crystal surface

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「metal single crystal surface」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 60



例文

METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF METAL OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METAL OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

金属酸化物単結晶基板表面の平坦化方法及び金属酸化物単結晶基板 - 特許庁

The transition metal single crystal thin film has a surface of a three-fold symmetry of a six-fold symmetry.例文帳に追加

遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する - 特許庁

To prevent the heavy metal contamination of Fe, or the like, from the rear surface of a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の裏面からのFe等の重金属汚染を防止する。 - 特許庁

A method for fabricating textured single crystals includes forming pads 12 with a metal layer 11 coated on a surface of a single crystal 10 by thermal processing.例文帳に追加

単結晶10の上に被着された金属層11を、熱処理によりパッド12を形成する。 - 特許庁

Then, the oxide film 4 is reduced by the metal atoms, and thereby the single crystal metal oxide thin film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

酸化膜4は金属原子に還元され、半導体基板2の表面に単結晶金属酸化物薄膜6が成膜される。 - 特許庁

In the method for producing the graphene growing the graphene by heating a transition metal single crystal thin film epitaxially grown on a single crystal substrate and by supplying carbon on the surface of the transition metal, A Mica (100) or a YSZ (111) is used as the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Mica(100)、もしくはYSZ(111)を用いることとする。 - 特許庁

例文

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法 - 特許庁

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「metal single crystal surface」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 60



例文

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 12 is formed thin on the surface of a metal film 8 from the surface of the single crystal silicon layer 6.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜12を単結晶シリコン層8の表面から金属膜8の表面に亘って薄く形成する。 - 特許庁

The method for producing metal single crystal includes a step of bringing the solution of a salt containing the metal into contact with the surface of a tannin layer disposed on an epoxy resin cured layer to precipitate the single crystal of the metal on the surface of the tannin layer.例文帳に追加

エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。 - 特許庁

When the group III nitride single crystal is grown on a substrate 5, on whose surface the ground film 6 of the group III nitride single crystal is formed, by using the flux 2 containing a sodium metal, a pretreatment process is provided for keeping the ground film, or the like, at a keeping temperature lower than the growth temperature of the group III nitride single crystal.例文帳に追加

表面にIII属窒化物単結晶の下地膜6が形成された基板5上に、ナトリウム金属を含むフラックス2を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。 - 特許庁

To produce the as-grown single crystal of an alkaline earth metal fluoride such as calcium fluoride and the like having sufficiently small transmittance with visible light, having no cloudiness at a peripheral wall surface when the single crystal having a diameter at its cylindrical body of 17 cm or more is produced by a single crystal pulling method.例文帳に追加

単結晶引き上げ法によって製造され、直胴部の直径が17cm以上のフッ化カルシウム等のフッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体において、周壁表面が白濁しておらず、可視光の透過率が十分に小さいものを製造すること。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery includes a positive electrode made of a thin film of a LiCoO_2 single crystal epitaxially growing by vertically orienting a (003) face on the surface of a metal single crystal substrate.例文帳に追加

金属単結晶基板面に(003)面を垂直に配向させてエピタキシャル成長したLiCoO_2単結晶の薄膜から成る正極を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To stably manufacture a long single crystal by preventing cracking caused by thermal shock during pulling and freezing of the surface of a raw material melt when a metal fluoride single crystal is pulled by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法でのフッ化金属単結晶体の引き上げに際して、その引き上げ中の熱衝撃による割れや、原料溶融液表面の凍結などを防止し、長尺の単結晶体を安定的に製造する。 - 特許庁

例文

To provide a method for oxidizing the surface of a silicon carbide single crystal in a water vapor atmosphere especially exceeding 1200°C for a method for preparing the semiconductor device of metal, an oxide film, and a semiconductor structure (MOS structure) with the silicon carbide single crystal as a substrate.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶を基板として、金属/酸化膜/半導体構造(MOS構造)の半導体素子を作製する方法に関し、特に1200℃を越える水蒸気雰囲気中で炭化ケイ素単結晶表面を酸化する方法。 - 特許庁

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