「metal single crystal surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the method for producing the graphene growing the graphene by heating a transition metal single crystal thin film epitaxially grown on a single crystal substrate and by supplying carbon on the surface of the transition metal, A Mica (100) or a YSZ (111) is used as the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。 - 特許庁

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法 - 特許庁

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 12 is formed thin on the surface of a metal film 8 from the surface of the single crystal silicon layer 6.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜１２を単結晶シリコン層８の表面から金属膜８の表面に亘って薄く形成する。 - 特許庁

The method for producing metal single crystal includes a step of bringing the solution of a salt containing the metal into contact with the surface of a tannin layer disposed on an epoxy resin cured layer to precipitate the single crystal of the metal on the surface of the tannin layer.例文帳に追加

エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。 - 特許庁

When the group III nitride single crystal is grown on a substrate 5, on whose surface the ground film 6 of the group III nitride single crystal is formed, by using the flux 2 containing a sodium metal, a pretreatment process is provided for keeping the ground film, or the like, at a keeping temperature lower than the growth temperature of the group III nitride single crystal.例文帳に追加

表面にIII属窒化物単結晶の下地膜６が形成された基板５上に、ナトリウム金属を含むフラックス２を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。 - 特許庁

To produce the as-grown single crystal of an alkaline earth metal fluoride such as calcium fluoride and the like having sufficiently small transmittance with visible light, having no cloudiness at a peripheral wall surface when the single crystal having a diameter at its cylindrical body of 17 cm or more is produced by a single crystal pulling method.例文帳に追加

単結晶引き上げ法によって製造され、直胴部の直径が１７ｃｍ以上のフッ化カルシウム等のフッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体において、周壁表面が白濁しておらず、可視光の透過率が十分に小さいものを製造すること。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery includes a positive electrode made of a thin film of a LiCoO_2 single crystal epitaxially growing by vertically orienting a (003) face on the surface of a metal single crystal substrate.例文帳に追加

金属単結晶基板面に（００３）面を垂直に配向させてエピタキシャル成長したＬｉＣｏＯ_２単結晶の薄膜から成る正極を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To stably manufacture a long single crystal by preventing cracking caused by thermal shock during pulling and freezing of the surface of a raw material melt when a metal fluoride single crystal is pulled by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法でのフッ化金属単結晶体の引き上げに際して、その引き上げ中の熱衝撃による割れや、原料溶融液表面の凍結などを防止し、長尺の単結晶体を安定的に製造する。 - 特許庁

To provide a method for oxidizing the surface of a silicon carbide single crystal in a water vapor atmosphere especially exceeding 1200°C for a method for preparing the semiconductor device of metal, an oxide film, and a semiconductor structure (MOS structure) with the silicon carbide single crystal as a substrate.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶を基板として、金属／酸化膜／半導体構造（ＭＯＳ構造）の半導体素子を作製する方法に関し、特に1200℃を越える水蒸気雰囲気中で炭化ケイ素単結晶表面を酸化する方法。 - 特許庁

A metal layer with a width smaller than the lateral growth distance of diamond is deposited on the surface of a single crystal of diamond, and an embedded metal layer is formed inside the single crystal of diamond by depositing diamond on the metal layer under the condition where the lateral growth is the main condition.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶表面にダイヤモンドのラテラル成長距離以下の巾をもつ金属層を堆積させ、この金属層上にラテラル成長が主となる条件においてダイヤモンドを堆積させることによりダイヤモンド単結晶内部に埋め込み金属層を形成する。 - 特許庁

The noble metal nanowire has a specified directionality toward the surface of the single crystal substrate and is controllable in relation to its directionality and arrangement.例文帳に追加

貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a solid crystal surface having a uniform single atom step by using a metal adsorption method.例文帳に追加

金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

It is desirable that the metal single crystal substrate is made of Au or Pt, and the surface of the substrate is a (110) face of the Au or the Pt.例文帳に追加

望ましくは、前記金属単結晶基板がＡｕまたはＰｔから成り、該基板面がＡｕまたはＰｔの（１１０）面である。 - 特許庁

A metal film 8 is formed in a part of the surface of a laminated sheet wherein a base layer 2, a silicon oxide layer 4 and a single crystal silicon layer 6 are stacked.例文帳に追加

ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が積層されている積層板の表面の一部に金属膜８を形成する。 - 特許庁

To provide a noble metal nanowire having directionality toward the surface of a single crystal substrate by using a noble metal oxide, a noble metal, or a noble metal halide as a precursor and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

The metal-insulating film-semiconductor structure is manufactured by forming an epitaxial thin film having a groove part on the surface of the silicon carbide single crystal substrate, and by sequentially forming the insulating film and the metal film on the internal surface of the groove part.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面に溝部を有するエピタキシャル薄膜を形成し、該溝部の内側面に絶縁膜、及び金属膜を順次形成してなる金属-絶縁膜-半導体構造である。 - 特許庁

A metal film deposited on a substrate having a gallium nitride single crystal on its surface, the substrate deposited with the metal film is heat-treated to form voids in the gallium nitride crystal on the substrate, gallium nitride is further deposited on the substrate having the voids in the gallium nitride crystal to bury the voids, and then a nearly flat single crystalline gallium nitride film is grown on the metal film.例文帳に追加

表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for effectively suppressing adhesion of a black substance on the surface of a seed crystal in the production of a metal fluoride single crystal such as calcium fluoride by Czochralski method or Kyropoulos method.例文帳に追加

チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。 - 特許庁

There are provided a noble metal single crystal nanowire vertically or horizontally grown to the surface of a single crystal substrate, which nanowire is produced by heat-treating a precursor placed at the front end of a reaction furnace and a semiconductor or nonconductor single crystal substrate placed at the rear end of the reaction furnace in an atmosphere of a flowing inert gas and a method for producing the same.例文帳に追加

反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns.例文帳に追加

屈折率がシリコンと異なる物質層（二酸化シリコン層）２２上の（１１１）面単結晶シリコン層２３の表面に金属薄膜パターン（金パターン）２５を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成部にシリコン単結晶柱２６を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。 - 特許庁

In the slide contact part, the slide contact member made of the single crystal silicon carbide and having a surface as an Si surface is bonded to or embedded in an end part of a slide contact part body made of metal.例文帳に追加

摺接部品は、金属製の摺接部品本体の先端部に、表面をＳｉ面とした単結晶炭化珪素からなる摺接体を接合若しくは埋設した。 - 特許庁

To provide a method for suppressing the adhesion of a black substance to the surface of a seed crystal which often occurs when a metal fluoride single crystal is produced by the Czochralski method, avoiding a phenomenon that a single crystal sheds a raw material molten liquid, and thereby improving a probability that contact of a seed crystal to a raw material molten liquid is successful at one time when pulling up is started.例文帳に追加

チョクラルスキー法でフッ化金属単結晶体を製造する際にしばしば生じる、種結晶体表面への黒色物質の付着を抑制し、種結晶体が原料溶融液を弾いてしまう現象を回避し、もって引上げ開始時の種結晶体と原料溶融液との接触が一回で成功する確率を高くする方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the large lithium niobate single crystal for optical applications comprises producing it in the atmosphere in which the temperature gradient from the top surface of the melt of the crystal raw material filled in the precious metal crucible to 10 mm above the top surface is 35°C/cm or less, using the apparatus for producing the single crystal.例文帳に追加

また、本発明に係る光学用大型ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法は、本発明に係る該単結晶の製造装置を用い、前記貴金属製ルツボに満たされたニオブ酸リチウム結晶原料の融液の液面から上方向に１０ｍｍまでの温度勾配を３５℃／ｃｍ以下とした雰囲気下において製造することを特徴とする。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

A method of manufacturing a lithium ion secondary battery is characterized in that the positive electrode is formed with epitaxial growing by vertically orienting the (003) face of the LiCoO_2 on the surface of the metal single crystal substrate.例文帳に追加

金属単結晶基板面上にＬｉＣｏＯ_２の（００３）面を垂直に配向させてエピタキシャル成長させることにより正極を形成することを特徴とするリチウムイオン二次電池の製造方法。 - 特許庁

To facilitate gettering of contaminants such as metal impurities, intruding from the surface side of a single-crystal silicon layer of an SOI substrate, to the side of a support substrate of the SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層の表面側から侵入した金属不純物のような汚染物質をＳＯＩ基板の支持基板側にゲッタリングし易くすることを可能にする。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device using a silicon carbide single-crystal substrate, wherein initial characteristics, yield rate, and long-period reliability of a silicon carbide semiconductor element are excellent and metal contaminations on a silicon carbide surface are sufficiently removed.例文帳に追加

炭化珪素半導体素子の初期特性や良品率、また、長期信頼性の良好な炭化珪素表面の金属汚染が十分除去された炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is desirable that the substrate made of the Au or the Pt, wherein the (110) face becomes the surface of a substrate as the metal single crystal substrate is used, and the epitaxial growing is carried out by a pulse laser deposition method.例文帳に追加

望ましくは、前記金属単結晶基板として（１１０)面を基板面とするＡｕまたはＰｔの基板を用い、前記エピタキシャル成長をパルスレーザー・デポジション法により行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon epitaxial wafer for preliminarily removing a natural oxide film formed on the surface of a silicon single crystal substrate while suppressing the bonding of particles or metal, and to provide a washing device.例文帳に追加

パーティクルや金属の付着を抑制しつつ、シリコン単結晶基板の表面に形成された自然酸化膜を予め除去しておくことのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び洗浄装置を提供する。 - 特許庁

The metal plating layers coming in contact with the surface of the single crystal Si substrate is selected from one group consisting of Ag, Co, Cu, Ni, Pd, Fe and Pt.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板の表面に接する金属メッキ層は、好ましくはメッキ法により形成されるＡｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ及びＰｔからなる一群から選ばれる。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

In the hexagonal system wurtzite type compound single crystal represented by AX (A is a positive element and X is a negative element) obtained by performing crystal growth with respect to at least m surface from a columnar seed crystal, concentrations of a divalent metal and a trivalent metal among other than the positive element A are ≤10 ppm and also dispersion of their concentrations are not more than 100% respectively.例文帳に追加

柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 - 特許庁

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 - 特許庁

A ruled line 10a is formed on the surface on the side of the metal film 3 of a sample 10 obtained by forming the metal film 3 on a single crystal substrate 2, and the sample 10 is cleaved along the ruled line 10a while cooled in liquid nitrogen 50.例文帳に追加

単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 - 特許庁

To provide a method by which a black substance can be removed without bringing a seed crystal to be too short, when the black substance adheres to the surface of the seed crystal before contacting the seed crystal to a raw material melt, in producing a metal fluoride single crystal by the Czochralski method or the Kyropoulos method.例文帳に追加

チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。 - 特許庁

Of the electron source used for an electron-optical equipment, such as, electron microscope and electron-beam lithographic apparatus, an electron-emitting section part consists of a surface-layer part and a base material part, of which the surface-layer part is of transition metal carbide, and the base material part is made of diamond single crystal.例文帳に追加

電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子光学機器に使用される電子源であって、電子放出部分は表層部と基材部からなり、該表層部は遷移金属炭化物であり、該基材部はダイヤモンド単結晶であることを特徴とする電子源により解決される。 - 特許庁

The quartz glass crucible for pulling up a single crystal wherein the surface of the crucible has a transparent coating layer being dispersed in a siliceous matrix with an agent comprising a metal oxide or a metal carbonate for accelerating the crystallization is obtained by coating a mixed liquid containing a metal salt and a partial hydrolyzate of an alkoxy silane oligomer on the surface of the quartz glass crucible and by firing it.例文帳に追加

石英ガラスルツボの表面に、金属塩とアルコキシシランオリゴマーの部分加水分解物とを含む混合液をコーテングして焼成し、シリカ質マトリックス中に金属酸化物または金属炭酸塩からなる結晶化促進剤が分散した透明コーテング層を表面に有する単結晶引き上げ用石英ガラスルツボを得る。 - 特許庁

The substrate for forming carbon nanotubes is obtained by fixing metal-based catalytic fine particles for forming the carbon nanotubes on a surface of a single crystal substrate.例文帳に追加

カーボンナノチューブ生成用金属系触媒微粒子を単結晶基材の表面に固着させたカーボンナノチューブ形成用基材であって、下記（１）から（３）の工程を含むことを特徴とする、カーボンナノチューブ形成用基材の製造方法。 - 特許庁

In this surface acoustic element 12, at least one kind of metal among Cu, Ta, W and Ti is segregated in a thin film electrode 18 provided on a piezoelectric substrate 28 and made of single crystal aluminum.例文帳に追加

本発明に係る表面弾性波素子１２は、圧電性基板２８上に設けられた、単結晶アルミニウムで構成された薄膜電極１８に、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ及びＴｉのうち少なくとも１種類の金属が偏析していることを特徴とする。 - 特許庁

A spin element comprises: a semiconductor layer 3 composed of single-crystal Si; a first tunnel insulating layer T1 formed on a surface of the semiconductor layer 3; and a first ferromagnetic metal layer 1 formed on the first tunnel insulating layer T1.例文帳に追加

このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。 - 特許庁

A light transmitting glass substrate 22 is arranged on the slope 21a of a right-angled isosceles triangle prism body 21 and metal membranes 23-1, 23-2 and 23-3 made of a single crystal of gold or silver of a 111 orientation are applied to the surface of the light-transmitting glass substrate 22.例文帳に追加

直角二等辺三角形プリズム本体２１の斜面２１ａに透光性ガラス基板２２が配置されており、透光性ガラス基板２２上に１１１方位の金または銀の単結晶からなる金属薄膜２３−１，２３−２，２３−３が付されている。 - 特許庁