photo electro deviceとは 意味・読み方・使い方

To provide an electro-optic device with a photosensor, in which a photosensor element having high photo-electric conversion characteristics and little change in the photo-electric conversion characteristics with time can be efficiently fabricated on an element substrate, and to provide electronic equipment having the above electro-optic device with a photosensor.例文帳に追加

光電変換特性が高く、かつ、光電変換特性の経時変化が小さい光センサ素子を素子基板上に効率よく形成することのできる光センサ付き電気光学装置、および当該光センサ付き電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MEMS (Micro Electro Mechanical System) device, which dispenses with a photo resist film in releasing an MEMS structure using an etchant to simplify the process, and easily seals the MEMS structure.例文帳に追加

エッチング液を用いてＭＥＭＳ構造体をリリースする際に、フォトレジスト膜を必要とせず、工程を簡略化でき、かつ容易にＭＥＭＳ構造体を封止するＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

For this solid scanning type optical writing device, a plurality of light shutter elements having an electro-optical effect are arranged in parallel in the main scanning direction, and light being cast from a light source comprising an LED group is modulated by the turning on/off of the light shutter elements, and an image is formed on a photo-sensitive material.例文帳に追加

電気光学効果を有する複数の光シャッタ素子を主走査方向に並置し、ＬＥＤ群からなる光源から放射された光を、前記光シャッタ素子のオン／オフにて変調し、感光材上に画像を形成する固体走査型光書込み装置。 - 特許庁

In the step of manufacturing the TFT array substrate of the electro-optical device, a gate insulating film 2 is formed, an etching mask is then formed by photo-lithography techniques, and a predetermined area of the gate insulating film 2 is selectively etched from the opening of the etching mask to thin the predetermined area of the gate insulating film 2.例文帳に追加

電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造工程において、ゲート絶縁膜２を形成した後、フォトリソグラフィ技術により、エッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口からゲート絶縁膜２の所定領域を選択的にエッチングして、ゲート絶縁膜２の所定領域を薄くする。 - 特許庁