silicon atomとは 意味・読み方・使い方

ORGANOSILICON-BASED TERMINAL CAPPING AGENT HAVING HYDROGEN ATOM BOUND TO ONE SILICON ATOM例文帳に追加

一つのケイ素に結合した水素原子を有する有機ケイ素末端キャップ剤 - 特許庁

LADDER TYPE HEAT RESISTANT RESIN CONTAINING GERMANIUM ATOM AND SILICON ATOM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ゲルマニウム原子ならびにシリコン原子含有ラダー型耐熱性樹脂およびその製造方法 - 特許庁

The encapsulant for an optical semiconductor device contains: a first organopolysiloxane having an alkenyl group bonded to a silicon atom and an aryl group bonded to a silicon atom, and not having a hydrogen atom bonded to a silicon atom; a second organopolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an aryl group bonded to a silicon atom; and a platinum alkenyl complex.例文帳に追加

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、白金のアルケニル錯体とを含む。 - 特許庁

A silicon nitride film, a silicon dioxide film, and a silicon oxynitride film including the carbon atom are formed on the wafers 200 by supplying the gas including at least the gas inculuding the silicon atom and the gas including the carbon atom to the wafers 200.例文帳に追加

ウェハ２００に対して少なくともシリコン原子を含むガスと、カーボン原子を含むガスとを供給して、ウェハ２００にカーボン原子を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

A composition ratio of chromium oxide membrane 11 consists of Cr 25-40 atom%, silicon 1-8 atom%, and potassium 0.7-5 atom%, and the rest is substantially composed of oxygen.例文帳に追加

酸化クロム膜11の組成比率を、クロム２５〜４０原子％、珪素１〜８原子％、カリウム０．７〜５原子％、残部が実質的に酸素で構成する。 - 特許庁

Therein, the curable silicon component (A) is a component comprising one or more curable silicon compounds containing a curable silicon compound (1) having a silicon atom bound to a hydrocarbon group and a silicon atom bound to a hydroxyl group or a hydrolysable group (wherein, both the silicon atoms may be an identical silicon atom).例文帳に追加

硬化性ケイ素成分（Ａ）：炭化水素基が結合したケイ素原子と水酸基または加水分解性基が結合したケイ素原子とを有する（ただし、両ケイ素原子は同一のケイ素原子であってもよい）硬化性ケイ素化合物（１）を含む１種以上の硬化性ケイ素化合物からなる成分。 - 特許庁

The organic metal compound raw material and/or the reactive gas exclusively includes one or more atoms selected from a carbon atom, a nitrogen atom, a hydrogen atom, a silicon atom, a phosphor atom, a boron atom and a metal atom.例文帳に追加

また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 - 特許庁

The intra-film atom density of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the intra-film atom density of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16の膜中原子密度を層間窒化シリコン膜26の膜中原子密度より高くする。 - 特許庁