おかざきしんにょどうまえちょうの英語

半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、分子内に疎水基とポリオキシアルキレン基とカルボキシル基又はアミノ基とを有する化合物、酸化剤、及び有機酸を含むことを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing liquid for metal is used to chemically and mechanically planarize a semiconductor device, and it contains a compound, having a hydrophobic group, a polyoxyalkylene group and a carboxyl group or an amino group in molecule, an oxidant, and an organic acid. - 特許庁

半導体デバイスの銅配線の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、（ａ）５位に置換基を有するテトラゾ−ル化合物、（ｂ）５位が無置換のテトラゾ−ル化合物、（ｃ）砥粒、及び（ｄ）酸化剤、を含有することを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing liquid used for chemical mechanical polishing of a copper wiring of a semiconductor device contains (a) a tetrazole compound having substituent at 5-position, (b) a tetrazole compound non-substitued at 5-position, (c) polishing particles and (d) an oxidizer. - 特許庁

下記式（１）で表される化合物と、ヒドロキシエチル基を有するアミノ酸と、酸化剤と、を含有することを特徴とする、半導体デバイスの配線工程における金属用研磨液。例文帳に追加

This metal polishing solution used in a semiconductor device wiring process is characterized by containing the compound expressed by the formula (1), an amino acid having hydroxyethyl group, and an oxidant. - 特許庁

半導体集積回路用基板の製造工程における化学的機械的平坦化に用いられ、（Ａ）有機無機複合粒子、（Ｂ）キノリンカルボン酸又はその誘導体、（Ｃ）アミノ酸、及び（Ｄ）酸化剤を含有することを特徴とする金属用研磨液。例文帳に追加

The polishing solution for metal used for chemical mechanical planarization in the production process of a substrate for semiconductor integrated circuit contains (A) an organic/inorganic composite particles, (B) quinoline carboxylic acid or its derivative, (C) an amino acid, and (D) an oxidizing agent. - 特許庁

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、砥粒、酸化剤、防食剤、酸、界面活性剤、及び包接化合物を含み、ｐＨが５未満であることを特徴とする研磨液。例文帳に追加

The polishing solution is used for the chemical mechanical polishing of the barrier layer and the interlaminar insulation film of a semiconductor integrated circuit wherein the polishing solution includes the abrasive grains, an oxidative agent, an anticorrosive agent, an acid, a surfactant and an inclusion compound, and the pH thereof is lower than 5. - 特許庁

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。例文帳に追加

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded. - 特許庁

半導体素子の封止に用いられ、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）及び離型剤（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）がトリフェノールメタン型フェノール樹脂を含み、前記無機充填材（Ｃ）が球状アルミナを含み、前記離型剤（Ｄ）がグリセリントリ脂肪酸エステルを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。例文帳に追加

The epoxy resin composition used for sealing a semiconductor device comprises an epoxy resin (A), a phenol resin-based curing agent (B), an inorganic filler (C) and a release agent (D), wherein the phenol resin-based curing agent (B) comprises a triphenol-methane type phenol resin; the inorganic filler (C) comprises spherical alumina; and the release agent (D) comprises a glycerol trifatty acid ester. - 特許庁

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨に用いられ、下記一般式（Ｉ）で表されるアミノ酸誘導体、複素芳香環化合物、砥粒、酸化剤、及び金属キレート剤を含有することを特徴とする金属用研磨液［一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜３のアルキレン基を表す。例文帳に追加

There is formed a metal polishing liquid that is used for chemical mechanical polishing in a semiconductor device manufacturing process and characterized by containing an amino acid derivative represented by general formula (I), a heteroaromatic ring compound, an abrasive grain, an oxidizing agent, and a metal chelating agent. - 特許庁