かえち２ちょうめの英語

稲荷御前、稲荷榎木橋、稲荷中之、直違橋南一丁目、直違橋北一丁目、直違橋二〜十一丁目（「二〜十一丁目」の10町を1大字とカウントする）、山村、十九軒、直違橋片町、玄蕃、鳥居崎、北新、七瀬川、南蓮池、鍵屋、北蓮池、極楽、寺内、飯食例文帳に追加

Inarionmae, Inarienokibashi, Inarinakano, 1-chome Sujikaibashi-Minami, 1-chome Sujikaibashi-Kita, 2-chome to 11-chome Sujikaibashi (10 towns of 2 to 11-chome counted as one Oaza), Yamamura, Jukyuken, Sujikaibashi Katamachi, Genba, Toriizaki, Kitashin, Nanasegawa, Minami Hasuike, Kagiya, Kita Hasuike, Gokuraku, Jinai, Ijiki発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

図２（ｂ）は、超音波ビーム走査のビーム方位の切り替えの様子を示す図である。例文帳に追加

Figure 2 (b) shows a changeover state of beam directions of an ultrasonic beam scanning. - 特許庁

台金６の表面における超砥粒２の配置パターンは、長方形の基本パターンを繰り返したものである。例文帳に追加

The pattern of arrangement of the abrasive grains 2 on the surface of the base 6 consists in a repetition of a fundamental pattern having a rectangular shape. - 特許庁

不良メモリセルを救済するために置き換えた冗長メモリセルが不良の場合に、冗長プログラム回路１の冗長メモリセル選択回路３への対応を新しい冗長メモリセル選択回路３へ切り替え、先に対応していた冗長メモリセル選択回路３の機能を不活性にする切り替え回路２を設ける。例文帳に追加

This memory is provided with a circuit 2 in which correspondence to a redundant memory cell selecting circuit 3 of a redundancy program circuit 1 is switched to a new redundant memory cell selecting circuit 3, a function of the redundant memory cell selecting circuit 3 previously corresponding is made inactive, in the case a redundant memory cell replaced for relieving a defective memory cell is defective. - 特許庁

パラメトリックスピーカ１は、発振手段１１の発振周波数を変えることにより、電気音響変換器２から放射された超音波が自己復調して可聴音が発生する位置までの距離を変えることができる。例文帳に追加

The parametric speaker 1 can vary the distance between the electroacoustic transducer 2 and the position at which the audible sound is generated resulting from an ultrasonic wave emitted from the electroacoustic transducer 2 subjected to self-demodulation. - 特許庁

替えキャップ（１）や替え栓（２）、替え蓋（３）に取り付けたポンプ（４）又は（５）で空気を補充し、内部圧力を高めにすることを特徴とする。例文帳に追加

Air is filled via a pump (4) or (5) mounted on the replaceable cap (1), the replaceable plug (2) or the replaceable lid (3) to keep an internal pressure high. - 特許庁

ＭＯＳキャパシタ１＿１，１＿２，１＿３のゲート電圧をメモリブロック５でグラウンドレベルと電源電圧レベルに切り替えて、キャパシタ２＿１，２＿２，２＿３を選択して、ＶＣＸＯ１００の発振周波数を調整する。例文帳に追加

A memory block 5 switches a gate voltage of MOS capacitors 1-1, 1-2, 1-3 to a ground level or a power supply voltage level to select capacitors 2-1, 2-2, 2-3 thereby adjusting the oscillating frequency of a VCXO 100. - 特許庁

拡張モジュール２は、その装着部２１が携帯電話機等の電子機器に、メモリカードに代えて装着される。例文帳に追加

In the extended module 2, a mounting part 21 is mounted on electronic equipment such as a portable telephone set instead of a memory card. - 特許庁