がくえんきばなだいきた１ちょうめの英語

透明基板１と、その透明基板１側に設けられた第１の厚膜エレクトロルミネッセンス素子２，３，４と、その第１の厚膜エレクトロルミネッセンス素子２，３，４の前記透明基板１と反対側に積層されて所望のパターン形状で発光する第２の厚膜エレクトロルミネッセンス素子５，６，７とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This luminescence element is characterized that a transparent substrate 1, the first thick films of electroluminescence elements 2, 3 and 4 laid at the side of the transparent substrate 1, and the second thick films of electroluminescence elements 5, 6 and 7 stacked at the opposite side of the transparent substrate 1 of the elements 2, 3 and 4, and capable of emitting light to a desired pattern shape. - 特許庁

窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法では、Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１≦１）からなる表面を有する基板１１上に、第１の温度Ｔ１でＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９が成長される。例文帳に追加

In the method to manufacture an epitaxial wafer for a nitride semiconductor light-emitting element, an Al_X2Ga_1-X2N (0≤X2≤1) layer 19 is grown on a substrate 11, having the surface made of In_X1Ga_1-X1N (0<X1≤1), at a first temperature T1. - 特許庁

レーザダイオード１から出射されたビームＬは偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３で下方に反射され、コリメータレンズ４、カバーガラス６Ｂ、シリコンオイル５、透明基板６Ａ、１／４波長板７を透過し、表面鏡８で反射されてＰＢＳ３を透過し、上方に向かう。例文帳に追加

A beam L emitted from a laser diode 1 is reflected downwards by a polarizing beam splitter(PBS) 3, is transmitted through a collimator lens 4, cover glass 6B, the silicone oil 5, the transparent base board 6A, and a quarter wavelength plate 7, is reflected by a surface mirror 8, is transmitted through the PBS 3, and goes upward. - 特許庁

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。例文帳に追加

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction. - 特許庁

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8. - 特許庁