とんでんごじょう１１ちょうめの英語

超伝導トンネル接合検出器において、基板１１の上面には、下部電極３１、トンネルバリア３３及び上部電極３５が順に積層されてなる超伝導トンネル接合素子１３が設けられ、基板１１内で発生したフォノンに基づいてフォトンを検出する。例文帳に追加

A superconducting tunnel junction detector includes a superconducting tunnel junction element 13 configured by laminating a lower electrode 31, a tunnel barrier 33, and an upper electrode 35 in that order on an upper surface of a substrate 11 and detects a photon based on a phonon generated inside the substrate 11. - 特許庁

水素をプロトンとして伝導する水素伝導部４０と、酸素を酸素イオンとして伝導する酸素伝導部１３とが交互に配列された第１と第２の面１１，１２を有する成長用基板１０を準備し、第１の面１１にＣＮＴ触媒２１を担持させる。例文帳に追加

A substrate 10 for growth having a first and a second faces 11, 12 where a hydrogen conductive part 40 which conducts hydrogen as a proton and an oxygen conductive part 13 which conducts oxygen as an oxygen ion are arranged alternately is prepared, and CNT catalyst 21 is carried on the first face 11. - 特許庁

ＮＡＮＤ型メモリ１において、半導体基板１１の表面上に、トンネル絶縁層１２、電荷蓄積層１３、電荷ブロック層１４を設け、その上に、チャネル長方向に沿ってそれぞれ複数の制御ゲート電極１５及びセル間絶縁膜１６を交互に設ける。例文帳に追加

A NAND type memory 1 has a tunnel insulation layer 12, a charge storage layer 13, and a charge block layer 14, provided on an upper surface of a semiconductor substrate 11, and a plurality of control gate electrodes 15 and inter-cell insulating films 16 are provided thereupon alternately in a channel-length direction. - 特許庁

さらに、制御部１５は、第２の制御処理において、試料１０に、可変電圧源１３から第１の電圧とは独立に決められ且つ第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加させながらトンネル電流の測定を行ない、当該トンネル電流の検出量に応じて、第２の制御処理における探針１１の位置を調整するように制御する。例文帳に追加

The control part 15 measures the tunnel current while applying a second voltage determined independently of the first voltage and different from the first voltage to the sample 10 from the variable voltage source 13 in the second control processing, and performs the control to adjust a position of the probe 11 in the second control processing. - 特許庁