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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > とんでんごじょう4ちょうめの解説 

とんでんごじょう4ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「とんでんごじょう4ちょうめ」の英訳

とんでんごじょう4ちょうめ

地名

英語 Tondengojo 4-chome

屯田五条丁目


「とんでんごじょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

冷陰極管(3)に管電流(I_L)が殆ど流れない起動時は、調光切替回路(9)により調光信号発生回路(4)から調光制御回路(7)に付与する調光信号(V_B)が無効となるため、交流変換回路(2)の交流出力(V_L)が連続的に冷陰極管(3)に供給される。例文帳に追加

Since the light control signal V_B being imparted from the light control signal generating circuit 4 to the light control circuit 7 is invalidated by the light control switching circuit 9 when the tube current I_L scarcely flows into the cold cathode tube 3 at the time of starting, the alternating current output V_L from the alternating current conversion circuit 2 is fed continuously to the cold cathode tube 3. - 特許庁

支柱1上にアンテナ3と超電導フィルタおよび増幅器を具備するフィルタモジュール5と超電導フィルタを冷却するための冷凍機とを設置して成り、冷凍機は、ピストン10を用いたガス圧縮機8を有し、かつピストン10の往復運動方向が支柱1による支持方向と同一方向に設定されている無線通信基地局である。例文帳に追加

This is a radiocommunication base station which is constituted by installing an antenna 3, a filter module 5 having a supereonductive filter and an amplifier, and a freezer 4 for cooling the superconductive filter, and in which the freezer 4 has a gas compressor 8 using a piston 10 and the direction of the reciprocation of the piston 10 is set in the same direction as the direction of the support by the pole 1. - 特許庁

ポリイミド系樹脂にカーボンブラックを含有してなる半導電性ベルトにおいて、前記カーボンブラックは、BET比表面積100m^2 /gあたりの揮発分がwt%/(100m^2 /g)以上で、かつASTM D1512に準拠したpH値が3.5以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductive belt containing carbon black in a polyimide resin, in which the carbon black is ≥4 wt.%/(100 m2/g) in volatile matter per 100 m2/g in BET specific surface area and is ≥3.5 in the pH value complying with the ASTM D1512. - 特許庁

磁化3,として情報が記録された磁気記録媒体50の表面に金属探針5をナノメートルオーダの距離に近づけ、その領域に入射光120を偏光方向を変調しながら照射し、トンネル電流もしくは反射偏光強度の偏光依存性を測定する。例文帳に追加

In the magnetization detecting method, a metal probe 5 is brought close to the surface of a magnetic recording medium 50 in which information is recorded as magnetization 3, 4 up to a nano-meter order distance and the area is irradiated with incident light 120 while modulating the polarization direction of the incident light 120 to measure a tunnel current or the polarization dependency of reflected polarization intensity. - 特許庁

(A)導電粉末、(B)有機バインダー、(C)光重合性モノマー、(D)光重合開始剤を含有するペーストにおいて、前記光重合開始剤(D)が2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オンとチオキサントン系開始剤からなることを特徴とする感光性導電ペーストを提供する。例文帳に追加

In the photosensitive electrically conductive paste comprising (A) an electrically conductive powder, (B) an organic binder, (C) a photopolymerizable monomer and (D) a photopolymerization initiator, the photopolymerization initiator (D) comprises 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2- morpholinopropan-1-one and a thioxanthone-base initiator. - 特許庁

透明基板2上に、光透過性を有する第1の導電層3と、プロトン保持層と、プロトン伝導層5と、触媒層6と、水素化金属層7と、光透過性を有する第2の導電層8とを備え、鏡状態を呈しているときに、第1の導電層3の仕事関数とプロトン保持層の仕事関数の差をΔφ_1、光透過性を有する第2の導電層8の仕事関数と水素化金属層7の仕事関数の差をΔφ_2とすると、|Δφ_1− Δφ_2|≦0.4 eVを満たすことを特徴とする。例文帳に追加

When the element exhibits a mirror state, the difference Δϕ_1 in the work function between the first conductive layer 3 and the proton holding layer 4, and the difference Δϕ_2 in the work function between the second conductive layer 8 having light transmissiveness and the hydrogenated metal layer 7 satisfy |Δϕ_1-Δϕ_2|≤0.4 eV. - 特許庁

例文

アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオンの少なくともひとつ以上の希ガスと水銀とを封入して両端を閉塞するとともに、内面に蛍光体被膜(3)を設けた管状バルブ(2)を形成し、この管状バルブ(2)の両端部の外面に外部電極()を配置したことを特徴とする冷陰極蛍光ランプおよび照明装置である。例文帳に追加

This cold-cathode fluorescent lamp and this lighting system are characterized by enclosing at least one kind of argon, krypton, xenon and neon, and mercury in it and closing both its end, by forming the tubular bulb 2 provided with a phosphor coat 3 on its inside surface, and by disposing outside electrodes 4 on the outside surfaces at both ends of the tubular bulb 2. - 特許庁

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「とんでんごじょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

このような界面構造のもとでは、成長下地層2に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位dが内部を貫通し、島状結晶2Iの側面2Sにまで達していたとしても、空隙5の存在ために該転位dはその場所が終端tとなり、結晶層へは伝搬しない。例文帳に追加

In the interface structure, even when dislocation originally present in the grown base layer 2 or dislocation d newly generated in the interface penetrates in the crystal to reach a side face 2S of an island-like crystal 2I, the dislocation d is terminated denoted by t on the side face because of the presence of a vacancy 5 and does not propagate to the crystal layer 4. - 特許庁

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