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ふぇるみじゅんいの英語
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「ふぇるみじゅんい」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 106件
高純度ホルミルフェニルボロン酸の製造法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY FORMYLPHENYLBORONIC ACID - 特許庁
陰極温度を増加させる(高くする)ことは、フェルミ準位でのフェルミ分布の広がることにつながる。例文帳に追加
Increasing the cathode temperature leads to a broadening of the Fermi distribution at the Fermi level.発音を聞く - 科学技術論文動詞集
インパクトイオン化確率のフェルミ準位依存性の計算方法例文帳に追加
METHOD FOR CALCULATING FERMI LEVEL DEPENDENCE OF IMPACT IONIZATION PROBABILITY - 特許庁
そして、ゲート電極７の材料に、Ｓｉのフェルミ準位よりもボディ領域３のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有するＰ型Ｐｏｌｙ−ＳｉＣが採用されている。例文帳に追加
The gate electrode 7 is made of P-type Poly-SiC whose Fermi level is closer to a Fermi level of the body region 3 than a Fermi level of Si. - 特許庁
真空準位を基準として、（Ｉ）酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の表面近傍領域のフェルミ準位よりも大きく、かつ、（II）導電体２１１のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。例文帳に追加
On the basis of the vacuum level, (I) the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212 is greater than the Fermi level in the vicinity of the surface of the titanium dioxide layer 212, and (II) the Fermi level of the conductor 211 is greater than the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212. - 特許庁
導電体１２１のフェルミ準位は、真空準位を基準として、酸化チタン層の導電体近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。例文帳に追加
On the basis of a vacuum level, the Fermi level in the vicinity of the conductor is greater than the Fermi level in the vicinity of the chromophore layer and the Fermi level of the conductor 121 is greater than the Fermi level in the vicinity of the conductor of the titanium oxide layer. - 特許庁
太陽電池１０への光照射時の開放電圧は、結晶Ｓｉ層５０内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。例文帳に追加
The open-circuit voltage in light irradiation to the solar cell 10 differs from a level difference between the quasi Fermi level of electrons and the quasi Fermi level of holes in the crystal Si layer 50. - 特許庁
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「ふぇるみじゅんい」の部分一致の例文検索結果
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基板のフェルミ準位の影響を低減することができる半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor element for reducing influence of Fermi level of a substrate. - 特許庁
その結果、ＧａＡｓの伝導帯が持ち上げられ、フェルミ準位より高くなる。例文帳に追加
Consequently, a conduction band of GaAs is raised to be above a Fermi level. - 特許庁
高純度アルミノホスフェート系ゼオライト及びその製造方法並びにその用途例文帳に追加
HIGHLY PURE ALUMINOPHOSPHATE ZEOLITE, ITS PRODUCTION METHOD AND ITS APPLICATION - 特許庁
したがって、フェルミ準位の差が約３．４ｅＶと大きくなり、起電力を大きくできる。例文帳に追加
A difference in fermi level therefore becomes large to approximately 3.4 eV and the electromotive force can be made large. - 特許庁
プロジェクタは、環状の空気流通路を有する密閉構造内部に配置される光学部品と、空気を循環させる循環ファンとを備える。例文帳に追加
The projector includes: the optical component disposed inside a closed structure having an annular air flow path; and a circulating fan which circulates air. - 特許庁
この時、第１不純物型トランジスタ領域の不純物型がＰ型であれば、第１金属含有膜のフェルミ準位はＰ型不純物で高濃度ドーピングされたシリコンの平衡バンド準位と近接したエネルギー準位を有するようにする。例文帳に追加
At this time, when the impurity type of the 1st impurity type transistor region is a P-type, the Fermi levels of the 1st metal-containing film have energy levels close to the balanced band levels of silicon which is heavily doped with P-type an impurity. - 特許庁
この時、第１不純物型トランジスタ領域の不純物型がＰ型であれば、第１金属含有膜のフェルミ準位はＰ型不純物で高濃度ドーピングされたシリコンの平衡バンド準位と近接したエネルギー準位を有するようにする。例文帳に追加
At this time, a Fermi level in the first metal-containing film is made to have an energy level close to the balance-band level of a doped silicon in high concentration in a p-type impurity, if the impurity in a first impurity transistor region belongs to p-type. - 特許庁
一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。例文帳に追加
In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms. - 特許庁
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