ゲッタリング過程の英語

このためデバイス工程で銅、ニッケルといった重金属イオンにさらされたとしても熱処理の過程でイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が作用して、これら銅、ニッケルを捕獲することができる。例文帳に追加

Even if the silicon wafer is exposed to heavy metal ions of copper, nickel, or the like, in the device process, intrinsic gettering (IG) acts in the heat treatment process to capture the copper and nickel. - 特許庁

レーザビームの短時間の照射により半導体ウェーハの所定の深さ位置のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分を形成し、ゲッタリングシンクとして活用する半導体ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer manufacturing method that forms a modified part by generating a multiphoton absorption process only at a prescribed depth position of a semiconductor wafer by laser beam irradiation in a short period of time so as to utilize the modified part as a gettering sink. - 特許庁

半導体ウェーハの両面のいずれか一方の面から、該半導体ウェーハの所定深さ位置に、焦点位置を合わせてレーザビームを照射し、前記所定深さ位置にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分としゲッタリングシンクを形成する。例文帳に追加

A laser beam is irradiated from either of both sides of a semiconductor wafer to a prescribed depth position of the semiconductor wafer by aligning a focal position with the prescribed depth position of the semiconductor wafer so as to generate a multiphoton absorption process only in a specific part, located at the prescribed depth position, of the semiconductor wafer, thereby forming a gettering sink by making the specific part as a modified part. - 特許庁