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gettering processとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ゲッタリング過程
「gettering process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
When gettering is performed under a high temperature, a diffusion process is accelerated but the gettering efficiency is low.例文帳に追加
しかし、高温でゲッタリングを行なうと、拡散プロセスの速度は促進されるが、ゲッタリング効率は低い。 - 特許庁
To form a gettering region without performing an ion implantation process.例文帳に追加
イオン注入工程を行うことなくゲッタリング領域を形成できるようにすること。 - 特許庁
To attain a single-crystal silicon wafer having a high gettering ability independent of a device process.例文帳に追加
デバイス工程に依存せず、確実に高いゲッタリング能力を持つシリコン単結晶ウエーハを得る。 - 特許庁
The manufacturing method includes a process of forming a gettering layer 19 in the SOI layer 16 surfaced by etching and removing the metal layer 18, and gettering a metal in the SOI layer 16; and a process of removing the gettering layer 19, and making the SOI layer 16 from which the metal is removed surface.例文帳に追加
金属層18をエッチング除去することにより表出したSOI層16にゲッタリング層19を形成してSOI層16中における金属をゲッタリングさせる工程と、ゲッタリング層19を除去して金属が除去されたSOI層16を表出させる工程とを備える。 - 特許庁
In the second or subsequent heating process, the catalyst material is gettered under a temperature condition suitable for gettering, which is higher than the crystallization process temperature.例文帳に追加
また、2回目以降の加熱工程では、結晶化処理温度よりも高い、ゲッタリングに適した温度条件によって、触媒物質をゲッタリングする。 - 特許庁
The gettering process enables the amorphous semiconductor film with sufficient reduction in the catalyst element to be obtained.例文帳に追加
このゲッタリング工程により、触媒元素が充分に低減された結晶質半導体膜を得ることが可能となる。 - 特許庁
A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加
イオン注入によって形成される汚染保護層11xによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁
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「gettering process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
To provide an obtained semiconductor device with a gettering function, without applying a special process to a semiconductor wafer and a chip.例文帳に追加
半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。 - 特許庁
To improve the quality of an oxide film without using a process for forming a gettering layer in a semiconductor device using a SOI substrate.例文帳に追加
SOI基板を用いた半導体装置において、ゲッタリング層を形成する工程を用いずに、酸化膜の品質を向上させる。 - 特許庁
To provide a laminating SOI substrate, capable of treating a metal dopant of SOI layer in gettering at heat treatment time in device process, and its manufacturing method.例文帳に追加
デバイス工程での熱処理時に、SOI層の金属不純物をゲッタリング可能な貼合わせSOI基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an epitaxial silicon wafer which shows high gettering capability even in a device process in which low-temperature and short-term heat treatment is advanced.例文帳に追加
低温短時間熱処理化の進んだデバイスプロセスでも高いゲッタリング能力を発揮し得るエピタキシャルシリコンウェーハを実現する。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate which makes it possible to obtain a sufficient gettering effect in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加
半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。 - 特許庁
To impart gettering capability to a semiconductor device which is made to be thin and has a reverse surface polished in a device post-process.例文帳に追加
デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。 - 特許庁
To easily improve gettering effects while suppressing the complication of a manufacturing process.例文帳に追加
製造工程の煩雑化を抑制することを可能としつつ、ゲッタリング効果を容易に高めることができるようにする。 - 特許庁
To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加
ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁
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ゲッタリング過程
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