gettering processとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor substrate which makes it possible to obtain a sufficient gettering effect in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

The gettering process enables the amorphous semiconductor film with sufficient reduction in the catalyst element to be obtained.例文帳に追加

このゲッタリング工程により、触媒元素が充分に低減された結晶質半導体膜を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide an obtained semiconductor device with a gettering function, without applying a special process to a semiconductor wafer and a chip.例文帳に追加

半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer which shows high gettering capability even in a device process in which low-temperature and short-term heat treatment is advanced.例文帳に追加

低温短時間熱処理化の進んだデバイスプロセスでも高いゲッタリング能力を発揮し得るエピタキシャルシリコンウェーハを実現する。 - 特許庁

To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加

ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁

To improve the quality of an oxide film without using a process for forming a gettering layer in a semiconductor device using a SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、ゲッタリング層を形成する工程を用いずに、酸化膜の品質を向上させる。 - 特許庁

Even if the silicon wafer is exposed to heavy metal ions of copper, nickel, or the like, in the device process, intrinsic gettering (IG) acts in the heat treatment process to capture the copper and nickel.例文帳に追加

このためデバイス工程で銅、ニッケルといった重金属イオンにさらされたとしても熱処理の過程でイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が作用して、これら銅、ニッケルを捕獲することができる。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁