getteredとは 意味・読み方・使い方

After an impurity element is introduced selectively into the crystalline semiconductor film, first heat treatment is conducted under a high temperature and the metallic element is gettered into the impurity region.例文帳に追加

前記結晶質半導体膜に選択的に不純物元素を選択的に導入した後、高温で第１の加熱処理を行ない、前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a gettering method, capable of suppressing the rediffusion of impurity metal gettered in a semiconductor substrate, and improving degree of cleaning a device active region.例文帳に追加

半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。 - 特許庁

Since the voids in the lower layer wiring 16 are gettered also to the projecting parts 16a, the voids at the contacting part of the lower layer wiring 16 and the upper layer plug 22a is relaxed to suppress the increase of the contact resistance.例文帳に追加

凸部１６ａにも下層配線１６中のボイドがゲッタリングされるので、下層配線１６と上層プラグ２２ａとの接触部におけるボイドの集中が緩和され、コンタクト抵抗の増大が抑制される。 - 特許庁

To provide a production process of a silicon wafer in which heat treatment for gettering is not required and contaminants in the silicon wafer can be gettered effectively even when the silicon wafer is made thin by grinding.例文帳に追加

ゲッタリングするための熱処理を行なう必要がなく、シリコンウェーハを研削することにより薄膜化する場合でも、シリコンウェーハ中の汚染物を効果的にゲッタリングすることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

After this, a second heating treatment is performed and the catalyst element is gettered in the gettering region, whereby the catalyst element can be efficiently moved from a semiconductor layer, specially a region which is used as a channel formation region, to the gettering region.例文帳に追加

この後、第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に触媒元素をゲッタリングすることにより、効率的に触媒元素を半導体層、特にチャネル形成領域となる領域からゲッタリング領域に移動させることができる。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

A gettering layer 7 comprised of a semiconductor containing a rate gas element is formed above the crystallized semiconductor film 5a, and the metal element is gettered to the gettering layer 7, thereby removing or reducing the metal element contained in the crystallized semiconductor film 5a.例文帳に追加

結晶化半導体膜５ａの上方に希ガス元素を含んだ半導体からなるゲッタリング層７を形成し、金属元素をゲッタリング層７にゲッタリングすることにより、結晶化半導体膜５ａに含まれる金属元素を除去又は低減する。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁