「gettered」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By this constitution, metal ions on the substrate of the package are gettered by the defect layer 2 on the side and/or the defect layer 2 on the reverse surface, and the Schottky barrier.例文帳に追加

この構成により、パッケージの基板上の金属イオンは、側面の欠陥層２及び／又は裏面の欠陥層２、ショットキー障壁によりゲッタリングされる。 - 特許庁

In the second or subsequent heating process, the catalyst material is gettered under a temperature condition suitable for gettering, which is higher than the crystallization process temperature.例文帳に追加

また、２回目以降の加熱工程では、結晶化処理温度よりも高い、ゲッタリングに適した温度条件によって、触媒物質をゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a gettering method, capable of suppressing the rediffusion of impurity metal gettered in a semiconductor substrate, and improving degree of cleaning a device active region.例文帳に追加

半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。 - 特許庁

After an impurity element is introduced selectively into the crystalline semiconductor film, first heat treatment is conducted under a high temperature and the metallic element is gettered into the impurity region.例文帳に追加

前記結晶質半導体膜に選択的に不純物元素を選択的に導入した後、高温で第１の加熱処理を行ない、前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a production process of a silicon wafer in which heat treatment for gettering is not required and contaminants in the silicon wafer can be gettered effectively even when the silicon wafer is made thin by grinding.例文帳に追加

ゲッタリングするための熱処理を行なう必要がなく、シリコンウェーハを研削することにより薄膜化する場合でも、シリコンウェーハ中の汚染物を効果的にゲッタリングすることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the voids in the lower layer wiring 16 are gettered also to the projecting parts 16a, the voids at the contacting part of the lower layer wiring 16 and the upper layer plug 22a is relaxed to suppress the increase of the contact resistance.例文帳に追加

凸部１６ａにも下層配線１６中のボイドがゲッタリングされるので、下層配線１６と上層プラグ２２ａとの接触部におけるボイドの集中が緩和され、コンタクト抵抗の増大が抑制される。 - 特許庁

After this, a second heating treatment is performed and the catalyst element is gettered in the gettering region, whereby the catalyst element can be efficiently moved from a semiconductor layer, specially a region which is used as a channel formation region, to the gettering region.例文帳に追加

この後、第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に触媒元素をゲッタリングすることにより、効率的に触媒元素を半導体層、特にチャネル形成領域となる領域からゲッタリング領域に移動させることができる。 - 特許庁

That is, the impurity element in the vicinity of the junction regions can be gettered effectively, by lowering the concentration of the element represented by P in sections close to the junction regions and enhancing the concentration of the element represented by P in sections separated from the junction regions.例文帳に追加

即ち、接合領域に近い部分でPに代表される元素の濃度を低くし、接合領域から離れた部分でPに代表される元素の濃度を高くすることで、接合領域近傍の不純物元素を効果的にゲッタリングできる。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁

By providing the connection part 14, heavy metal 54 introduced to the active layer 13 is gettered by the oxygen deposit defect 53 of the support substrate 11 through this connection part 14 by heat treatment when forming a device, so that the heavy metal pollution is prevented.例文帳に追加

接続部１４を設けることで、活性層１３に導入された重金属５４は、デバイス形成時の熱処理で、この接続部１４を通して支持基板１１の酸素析出欠陥５３でゲッタリングされ、重金属汚染を防止できる。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

A gettering layer 7 comprised of a semiconductor containing a rate gas element is formed above the crystallized semiconductor film 5a, and the metal element is gettered to the gettering layer 7, thereby removing or reducing the metal element contained in the crystallized semiconductor film 5a.例文帳に追加

結晶化半導体膜５ａの上方に希ガス元素を含んだ半導体からなるゲッタリング層７を形成し、金属元素をゲッタリング層７にゲッタリングすることにより、結晶化半導体膜５ａに含まれる金属元素を除去又は低減する。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁