「gettering process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gettering process enables the amorphous semiconductor film with sufficient reduction in the catalyst element to be obtained.例文帳に追加

このゲッタリング工程により、触媒元素が充分に低減された結晶質半導体膜を得ることが可能となる。 - 特許庁

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁

To provide an obtained semiconductor device with a gettering function, without applying a special process to a semiconductor wafer and a chip.例文帳に追加

半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。 - 特許庁

To improve the quality of an oxide film without using a process for forming a gettering layer in a semiconductor device using a SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、ゲッタリング層を形成する工程を用いずに、酸化膜の品質を向上させる。 - 特許庁

To provide a laminating SOI substrate, capable of treating a metal dopant of SOI layer in gettering at heat treatment time in device process, and its manufacturing method.例文帳に追加

デバイス工程での熱処理時に、ＳＯＩ層の金属不純物をゲッタリング可能な貼合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer which shows high gettering capability even in a device process in which low-temperature and short-term heat treatment is advanced.例文帳に追加

低温短時間熱処理化の進んだデバイスプロセスでも高いゲッタリング能力を発揮し得るエピタキシャルシリコンウェーハを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which makes it possible to obtain a sufficient gettering effect in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

To impart gettering capability to a semiconductor device which is made to be thin and has a reverse surface polished in a device post-process.例文帳に追加

デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨された半導体デバイスにゲッタリング能力を付与する。 - 特許庁

To easily improve gettering effects while suppressing the complication of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程の煩雑化を抑制することを可能としつつ、ゲッタリング効果を容易に高めることができるようにする。 - 特許庁

To form an oxide film exhibiting "durability against etching liquid sufficient for protecting silicon films against etching" in dry process and having "such a film quality that impurities can migrate through the oxide film during a heating process for gettering so that the gettering is carried out without problems".例文帳に追加

ドライプロセスで「エッチングに十分耐えシリコン膜を保護することができる、エッチング液に対する耐性」及び「ゲッタリング処理を問題なく行うために、ゲッタリングのための加熱処理の際に、酸化膜中を不純物が移動できる膜質」を有する酸化膜を形成する。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.例文帳に追加

エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁

Even if the silicon wafer is exposed to heavy metal ions of copper, nickel, or the like, in the device process, intrinsic gettering (IG) acts in the heat treatment process to capture the copper and nickel.例文帳に追加

このためデバイス工程で銅、ニッケルといった重金属イオンにさらされたとしても熱処理の過程でイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が作用して、これら銅、ニッケルを捕獲することができる。 - 特許庁

To secure sufficient gettering ability while avoiding automatic doping in a heating process in response to the requirement for flatness in a 70 (mm) generation lithography process and without regard to the gas seed of the oxidation/non-oxidation atmosphere.例文帳に追加

７０（ｎｍ）世代のリソグラフィー工程の平坦度要求に応え、且つ酸化・非酸化という雰囲気ガス種に関わらず、加熱工程におけるオートドーピングを回避しながらも十分なゲッタリング能力の確保を可能とする。 - 特許庁

In addition, two treatments of a heat treatment to the gate insulation film and an activation process of an impurity element added to the semiconductor and a gettering process of a metal element added to the semiconductor are simultaneously conducted using the RTA.例文帳に追加

また本発明は、ゲート絶縁膜に対する加熱処理と、半導体に添加された不純物元素の活性化処理又は半導体に添加された金属元素のゲッタリング工程の２つの処理を同時にＲＴＡを用いて行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a gettering sink which never affects a pn junction and a surface device functional region which are formed in a wafer bulk can be easily forme, and a gettering capability is still effective even after a thinning process in a wafer process and hence the degradation of semiconductor characteristics and a decline in yield can be prevented.例文帳に追加

ウエハバルクに形成されるｐｎ接合や表面デバイス機能領域に影響を与えないゲッタリングシンクを容易に作製でき、ウエハプロセスにおける薄化工程後もゲッタリング能力は有効であって、半導体特性の低下や良品率低下を防止できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A process for forming a gettering site comprises the steps of: forming a semiconductor film containing a rare gas element; forming a semiconductor film having an amorphous structure containing a high-concentration rare gas element, amorphous silicon film as a major example, on the surface of a second semiconductor film by treating the film for generating plasma of a rare gas element, carbon, or oxygen; and gettering the semiconductor film.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、希ガス元素を含む半導体膜を形成した後、希ガス元素、炭素、または酸素のプラズマを発生させる処理を行うことで第２の半導体膜表面に高濃度の希ガス元素を含ませた非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、ゲッタリング処理を行うものである。 - 特許庁

Since the opening 15a of the gettering mask film 15 is formed by self-aligment technology utilizing the photoresist 16 as a mask, the opening pattern of the gettering mask film is formed, without being shifted from the opening pattern 16a of the photoresist 16 and a CGS film containing no impurity of catalytic metal can be formed by performing a photolithographic process only once.例文帳に追加

ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａは、フォトレジスト１６をマスクとして利用して、セルフアラインにより形成されるので、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンに対して、ゲッタリングマスク膜の開口部のパターンがずれることなく形成され、１回のフォトリソグラフィ工程によって、触媒金属による不純物を含まないＣＧＳ膜を形成することができる。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method for effective gettering of noble metals which may diffuse inward in a semiconductor material during a process of manufacturing a semiconductor element, by forming in the semiconductor a zone having a material precipitate.例文帳に追加

材料析出物を有するゾーンを半導体内に形成することにより、半導体素子の製造プロセス中に半導体材料内に内方拡散することが可能な貴金属を効果的にゲッタリングする方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the overflow drain function and the gettering capacity required for the substrate performance by suppressing impurity diffusion due to high-temperature heat treatment, without complicating the manufacturing process.例文帳に追加

高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。 - 特許庁

To provide a false SOI substrate wafer wherein insufficient high-frequency characteristic of a bulk silicon substrate, complicated process of manufacturing an SOI substrate and gettering characteristic are improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing thin film transistor by which a metallic element can be removed from inside a semiconductor film by a method which is different from the conventional gettering process performed for removing metallic elements from semiconductor films.例文帳に追加

本発明は、半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-performance semiconductor device with a simple gettering process at low temperatures, and to provide the semiconductor device and a display unit can be obtained with the use of it.例文帳に追加

低温かつ簡便なゲッタリングプロセスで高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法、及び、それを用いて得られる半導体装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a metal element from within a semiconductor film by a method different from a conventional gettering process for removing a metal element from a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate and its manufacturing method capable of suppressing metallic contamination and reducing an occurrence of white defects of a solid state image sensor by maintaining a sufficient gettering ability during a device manufacturing process.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer that simplifies the heat treatment in a device production process, eliminates the need of providing a backside damage, and improves the gettering capability of the silicon wafer, and also to provide the silicon wafer.例文帳に追加

デバイス製造工程における熱処理を簡略化させ、且つバックサイドダメージを与える必要なしで、シリコンウェーハのゲッタリング能力を向上させるシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To enhance a flexural strength, to require no detoxification process, to maintain a gettering effect at the time of polishing the grinding surface of a wafer, in order to prevent a lowering in quality of a device.例文帳に追加

ウェーハの研削面を研磨する場合において、抗折強度を高めつつ、無毒化処理を不要とし、ゲッタリング効果を維持してデバイスの品質を低下させないようにする。 - 特許庁

To provide a silicon single-crystal wafer which can fully exhibit IG (intrinsic gettering) capability, even in a low-temperature device manufacturing process, and which can be provided relatively easily and at low cost.例文帳に追加

低温デバイス製造プロセスにおいても、ＩＧ能力を十分に発揮でき、しかも、比較的簡単かつ安価で提供できるシリコン単結晶ウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a production process of silicon wafer which ensures high integrity of a wafer surface layer and exhibits the gettering function which is equivalent to or better than before in the vicinity of the wafer surface layer.例文帳に追加

ウェーハ表層の高い完全性と、ウェーハ表層近傍での従来と同等以上のゲッタリング機能とを備えたシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, not necessitating any photolithographic process for gettering and not forming any area of CG silicon film which is unable to be used while practical and permitting mass production, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

ゲッタリングのためのフォトリソグラフィ工程を必要とせず、使用不可能なＣＧシリコン膜の領域を作らない、実用的かつ量産可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method of fabricating the device including a process for promoting crystallization by a catalytic element and a process for gettering the catalytic element provides the semiconductor display device with high definition/high resolution/high image quality though it is small in size.例文帳に追加

また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal contaminated sample that reflects an actual heavy metal contaminated state in an actual post-process of a semiconductor device to grasp with high reliability the gettering performance of a silicon wafer accompanying heavy metal contaminated in the manufacturing process of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおける重金属汚染に伴うシリコンウェーハのゲッタリング能を高い信頼性で把握することを可能にするため、現実のデバイス後工程における重金属汚染の状態を反映した金属汚染試料を作製することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production process of a silicon wafer in which heat treatment for gettering is not required and contaminants in the silicon wafer can be gettered effectively even when the silicon wafer is made thin by grinding.例文帳に追加

ゲッタリングするための熱処理を行なう必要がなく、シリコンウェーハを研削することにより薄膜化する場合でも、シリコンウェーハ中の汚染物を効果的にゲッタリングすることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate, capable of sufficiently gettering metal impurities not only in ion injection for buried silicon oxide film formation and its heat treatment, but also in a heat treatment in a device process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

埋め込みシリコン酸化膜形成のためのイオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、金属不純物を十分にゲッタリング可能なＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a silicon wafer using a rapid heating/quenching apparatus, particularly a heat-treatment method for a silicon wafer for obtaining a wafer exhibiting enough gettering capability in a device process.例文帳に追加

シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する方法に関し、特に、デバイス工程において十分なゲッタリング能力を発揮するウエーハを得るためのシリコンウエーハの熱処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a back-illuminated image sensor and a manufacturing method thereof, capable of suppressing metal contaminations and reducing occurrence of a white spot defect of the image sensor, by maintaining a sufficient gettering performance in a device process.例文帳に追加

デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a backside illumination type solid-state image pickup element capable of suppressing metal contamination and reducing the occurrence of blemish defects in a solid-state image pickup element by maintaining a sufficient gettering capacity during a device manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the epitaxial substrate for the backside illumination type solid-state image pickup element.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer manufacturing method that forms a modified part by generating a multiphoton absorption process only at a prescribed depth position of a semiconductor wafer by laser beam irradiation in a short period of time so as to utilize the modified part as a gettering sink.例文帳に追加

レーザビームの短時間の照射により半導体ウェーハの所定の深さ位置のみに多光子吸収過程を生じさせて改質部分を形成し、ゲッタリングシンクとして活用する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The SOI substrate is heat-treated at a temperature of 600-1,250°C, and gettering is performed to metal impurities accidentally mixed into the interface of the SOI film and quartz substrate and into the SOI film in the process of plasma processing, or the like to the surface region of the silicon film 12.例文帳に追加

次にこのＳＯＩ基板を６００℃〜１２５０℃の温度で熱処理し、プラズマ処理等の工程においてＳＯＩ膜／石英基板界面およびＳＯＩ膜中に偶発的に混入した金属不純物をシリコン膜１２の表面領域にゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a device forming process of forming the semiconductor device on a surface of a silicon wafer, and a gettering process of, after the device forming process, gathering metal in the wafer to a reverse surface side of the silicon wafer by applying a voltage between a top surface and the reverse surface of the silicon wafer so that the potential of the reverse surface is minus.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程と、前記デバイス形成工程後、前記シリコンウェーハの前記表面と裏面の間に、裏面がマイナスになるように電圧を印加してウェーハ中の金属を前記裏面側に集めるゲッタリング工程を含む、半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

A resin film gettering capability evaluation method according to the present invention comprises: a process of forming the resin film on one surface of a silicon wafer; a process of heating a laminate of the resin film and the silicon wafer to a temperature of 200°C and over; and a process of determining a quantity of a heavy-metal element in a surface layer on the other surface side of the silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係る樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法は、 該樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、 該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および 該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a process for producing a silicon wafer inexpensively in which a DZ layer of sufficient thickness is ensured in the region of a wafer surface layer and, at the same time, a sufficient amount of oxygen deposit functioning as a gettering site can be secured in a bulk region in the earlier stage of heat treatment of the device process.例文帳に追加

ウエーハ表層領域に十分な厚さのＤＺ層を確保すると同時に、デバイス工程の熱処理のより早い段階でゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物がバルク領域内に十分な量を確保できるシリコンウエーハを安価に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer which has high gettering capability and is capable of reducing the total cost of semiconductor device fabrication, by facilitating film thickness control in each device process to be carried out readily and enabling the process of thinning the silicon substrate, after finishing the device fabrication to be carried out readily.例文帳に追加

高ゲッタリング能力を有し、なおかつデバイスプロセスの各工程において膜厚管理を容易にし、またデバイス作製後のシリコン基板の薄膜化工程を容易にするなどして、半導体デバイス作製のトータルコストを削減できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。 - 特許庁