「gettering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

To provide an activation of an impurity element added to semiconductor film by a heat treatment in a short time without deforming a substrate in a manufacturing process of a semiconductor device using a substrate having a low heat resistance such as a glass or the like, a method for gettering the semiconductor film and a heat treating system capable of such heat treating.例文帳に追加

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁