ゲート厚の英語

フィルムゲート８８の厚さＧ１は、ゲートランドの厚さＧ２よりも小さい。例文帳に追加

The thickness G1 of the film gate 88 is smaller than the thickness G2 of the gate land. - 特許庁

第２のゲート電極１１５Ｂのゲート長は、第１のゲート電極１１５Ａのゲート長よりも大きく、且つ、第２のゲート電極１１５Ｂにおけるゲート長方向の中央部の厚さは、第１のゲート電極１１５Ａの厚さよりも小さい。例文帳に追加

The gate length of the second gate electrode 115B is made larger than the gate length of the first gate electrode 115A, and the thickness of the central part of the gate length direction in the second gate electrode 115B is made smaller than that of the first gate electrode 115A. - 特許庁

厚さの異なるゲート酸化物層を形成する方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF GATE OXIDE LAYER OF DIFFERENT THICKNESS - 特許庁

これにより、ゲート電極１０の第１のゲート絶縁膜３上での厚さは従来のゲート電極と同じであっても、厚い第２のゲート絶縁膜６Ａ、６Ｂ上での膜厚ｔ２は従来例の膜厚ｔ１に比して薄くなる。例文帳に追加

Thus, even when the thickness of the electrode 10 on the film 3 is the same as that of a conventional gate electrode, a film thickness t2 on the thick second gate insulating films 6A and 6B is thinner than the thickness t1 of a conventional example. - 特許庁

ゲート誘電体の事実上の電気的厚みを減少する。例文帳に追加

To reduce the electrical thickness of a gate dielectric. - 特許庁

バラクタ２０のゲート絶縁膜２５は、ゲート絶縁膜１５，７５よりも厚い。例文帳に追加

The gate insulating film 25 of the varactor 20 is thicker than the gate insulating films 15 and 75. - 特許庁

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE - 特許庁

各ゲート（51）には、ゲート（51）を厚さ方向に貫通する圧力導入路（52）が形成される。例文帳に追加

In each gate (51), a pressure introduction passage (52) which penetrates through each gate (51) in thickness direction thereof is formed. - 特許庁