ジメチルヒドラジンの英語

水和ヒドラジン、１−メチルヒドラジン又は１，１−ジメチルヒドラジンとジメチルカーボネイトとを原料とし、高純度１，１，１−トリメチルヒドラジニウムヒドロキシドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing high-purity 1,1,1- trimethylhydrazinium hydroxide by using hydrated hydrazine, 1-methylhydrazine or 1,1-dimethylhydrazine and dimethyl carbonate as raw materials. - 特許庁

第１の排気管４２の途中にアンモニアを除害する第１の除害処理部４２Ａが設けられ、第２の排気管４３の途中にジメチルヒドラジンを除害する第２の除害処理部４３Ａが設けられている。例文帳に追加

A first harm removal processing portion 42A for removing harm of ammonia is provided along the way of the first exhaust tube 42 and a second harm removal processing portion 43A for removing harm of dimethylhydrazine is provided along the way of the second exhaust tube 43. - 特許庁

少なくとも１つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内に、トリス（イソプロピルアミノ）シランのようなアミノシランガスと、ジメチルヒドラジンのようなヒドラジン化合物ガスを供給することにより両ガスを反応させ、基板上にシリコン窒化物膜を形成する。例文帳に追加

Gaseous amino silane like tris(isopropyl amino)silane and a gaseous hydrazine compound like dimethyl hydrazine are supplied into a reaction chamber for CVD in which at least one substrate is housed and thereby both gases are reacted and the silicon nitride film is formed on the substrate. - 特許庁

水和ヒドラジン、１−メチルヒドラジン又は１，１−ジメチルヒドラジンとジメチルカーボネイトを反応させることにより、１，１，１−トリメチルヒドラジニウムカーボネイト及び／又は１，１，１−トリメチルヒドラジニウムビカーボネイトを得、次いで、これを陽イオン交換膜を隔膜とする電気分解に付して、１，１，１−トリメチルヒドラジニウムヒドロキシドを製造する。例文帳に追加

Hydrated hydrazine, 1-methylhydrazine or 1,1-dimethylhydrazine is reacted with dimethyl carbonate to give 1,1,1-trimethylhydrazinium carbonate and/or 1,1,1-trimethylhydrazinium bicarbonate, which is then electrolyzed using a cation-exchanger membrane as a permeable membrane to produce 1,1,1- trimethylhydrazinium hydroxide. - 特許庁

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer. - 特許庁