スピン対称性の英語

ボトムスピンバルブ型センサおよび対称性デュアルスピンバルブ型センサならびにそれらの形成方法例文帳に追加

BOTTOM SPIN VALVE SENSOR, SYMMETRY DUAL SPIN VALVE SENSOR, AND FORMING METHODS THEREOF - 特許庁

飛距離、対称性、スピン性能及び耐擦傷性能に優れたゴルフボール２の提供。例文帳に追加

To provide a golf ball 2 with excellent carry, symmetry, spinning performance, and abrasion resistance. - 特許庁

スピンバルブ膜の総合的な抵抗変化量の線形性及び対称性を改善する。例文帳に追加

To improve the linearity and symmetry of a comprehensive resistance variation of a spin valve film. - 特許庁

これにより、スピンＭＯＳＦＥＴにおける電気的な対称性が確保され、この場合の条件を解析すると、ＭＲ比が高くなることが見出された。例文帳に追加

Consequently, the electric symmetry of the spin MOSFET is secured and an increase in the MR ratio is found out by analyzing conditions of this case. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

インジウム酸化物に、Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ、並びにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる１つ以上の元素がドープされて成り、単位胞の点対称性が、酸化スカンジウム型結晶構造の格子並進構造を有するインジウム化合物スピントロニクス材料を構成する。例文帳に追加

This indium compound spintronics material is produced by doping at least one element selected from Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb into indium oxide, and is composed such that the point symmetry of unit cells has the lattice translation structure of scandium oxide type crystal structure. - 特許庁