バルク欠陥の英語

エピタキシャル膜の欠陥が極めて少なく、かつバルク部分のゲッタリング能力の大きいエピタキシャルウェーハの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer, having extremely few defects in an epitaxial film and high gettering ability in a bulk portion. - 特許庁

シード昇華システムにおいて、底面欠陥レベルの低い、高品質のシリコンカーバイドバルク単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide, in a seed sublimation system, a manufacturing method of a high quality silicon carbide bulk single crystal of a low bottom face defect level. - 特許庁

ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。例文帳に追加

To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically. - 特許庁

パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。例文帳に追加

A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed. - 特許庁

ＣＺバルクウエハに起因した欠陥（ＦＰＤ，ＣＯＰ等）のない、あるいは低減されたＳｉ活性層を有する半導体基材を提供する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor substrate which contains no defects (such as FPD and COP) in a CZ(Czochralski) bulk wafer and has a suppressed Si active layer. - 特許庁

これにより，ＣＺバルク基板１０とゲート絶縁膜２４との界面付近に低欠陥領域が形成される。例文帳に追加

Thus, a low defective area is formed near an interface of the CZ bulk substrate 10 and the gate insulating film 24. - 特許庁

ＣＯＰ、ＦＰＤ等のバルクウエハ特有の欠陥の少ない単結晶シリコン層を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal silicon layer having little damage which is peculiar to the bulk wafer such as COP(crystal originated particle) and FPD (flow pattern deffect), etc. - 特許庁

バルク材料など被測定物の内部欠陥の状況を表面から深い位置であっても有効に検出し評価する。例文帳に追加

To effectively defect and evaluate the state of an internal defect of a material to be measured such as a bulk material or the like even at a deep position from its surface. - 特許庁