ピントンの英語

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。例文帳に追加

Then the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is subjected to plasma etching by using the mixed gas of a carbon monoxide gas and an ammonia gas. - 特許庁

強磁性酸化物半導体薄膜及びその製造方法並びにこれを用いたスピントンネル磁気抵抗素子例文帳に追加

FERROMAGNETIC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, ITS PRODUCTION METHOD, AND SPIN TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING THIS - 特許庁

スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法例文帳に追加

SPIN TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM AND ELEMENT, AND MAGNETORESISTANCE SENSOR USING THE SAME, AND MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ここまでの工程で、スピントンネル効果膜が形成されるとともに、磁気抵抗比の増大及び安定を図るための熱処理が施されたことになる。例文帳に追加

In these processes, a spin-tunnel effect film is formed, and at the same time, heat treatment for increasing and stabilizing magnetic resistance ratio is applied. - 特許庁

スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。例文帳に追加

To efficiently and uniformly produce a magnetic memory utilizing a spin tunnel magneto-resistance effect without being affected by the environment. - 特許庁

スピン分極率の大きなｂｃｃ強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer. - 特許庁

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。例文帳に追加

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas. - 特許庁

基板１０１上に第１の磁性膜１１１、トンネル膜１１２、および第２の磁性膜１１３からなるスピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を成膜し、その上面に所望の形状をしたレジスト膜１０２を形成する。例文帳に追加

After a spin tunnel magnetoresistive effect film 110 composed of a first magnetic film 111, a tunnel film 112, and a second magnetic film 113 is formed on a substrate 101, a resist film 102 having a desired shape is formed on the top surface of the film 110. - 特許庁