ファセットじゅんいの英語

このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。例文帳に追加

The condition setting of the facet growth is important for facilitating continuous and smooth facet growth. - 特許庁

ダイアモンド原石におけるパビリオン形成側の結晶形の稜線から約１５°ずらした位置が稜線となるように５のパビリオンメインファセットを形成し、これを基準として１０のパビリオンメインファセットを形成する。例文帳に追加

Five pavilion main facets are formed so that positions about 15 degrees shifted from a ridge of a crystal of a diamond ore on the pavilion formation side become ridges, and ten pavilion main facets are formed making theses as bases. - 特許庁

パビリオン２０’には、下端側からガードル側に順次カットを行って所要のファセット２１を形成する。例文帳に追加

The pavilion 20' is cut sequentially from a lower end toward the girdle so as to form facets 21. - 特許庁

ダイアモンド原石におけるパビリオン形成側の結晶形の稜線から約１５°ずらした位置が稜線となるように５のパビリオンメインファセットを形成し、これを基準として１０のパビリオンメインファセットを形成する。例文帳に追加

Five pavilion main facets are formed so that a position shifted from the ridge line of a crystal shape on the pavilion formation side by about 15° is a ridge line in a diamond raw ore, and with reference thereto, ten pavilion main facets are formed. - 特許庁

ガラス／ガラス・セラミック調理板の標準的厚さを増すことを必要とせずに、極めて幅広な面ファセットが設けられ、かつ溢出を防止できるガラス／ガラス・セラミック板の製造を可能とする。例文帳に追加

To enable to fabricate a glass/glass-ceramic plate which is provided with a remarkably widened facet without necessitating the increase in a standard thickness of the glass/glass-ceramic cooking plate, and can prevent flow-out. - 特許庁

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。例文帳に追加

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet. - 特許庁

しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。例文帳に追加

Further, since the ridge or the like in the hard cubic structure 14 having the facet 15 has characteristic crystal orientation and is also clear, the cut line 21 of the gallium nitride crystal body 27 subjected to cutting in parallel with the ridge or the like of the cubic structure 14 can be used for the orientation flat as the reference line of device working. - 特許庁