フィールド効果トランジスタの英語

縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。例文帳に追加

To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor. - 特許庁

半導体デバイス（例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）またはダイオード）の下にフィールド・シールドを組み込んだ半導体構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor structure that incorporates a field shield below a semiconductor device (e.g., a field effect transistor (FET) or a diode). - 特許庁

ゲート電極端に集中する電界を緩和しつつ、フィールドプレート電極の端の絶縁膜中に集中する電界を緩和することができる電界効果型トランジスタを得る。例文帳に追加

To obtain a field effect transistor for easing electric field concentrated in an insulating film at the end of a field plate electrode while alleviating the electric field concentrated to the gate electrode end. - 特許庁

電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which can be utilized as a high breakdown voltage semiconductor device by relaxing the concentration of high electric field at a field plate end edge. - 特許庁

チップサイズの増大を抑制しつつ、絶縁体上に配置された導電型の異なる電界効果型トランジスタ下にフィールドプレートを形成する。例文帳に追加

To form a field plate under a field effect transistor of different conductivity type arranged on an insulator while suppressing increase in chip size. - 特許庁

電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とすること。例文帳に追加

To relieve concentration of a high electric field on a field plate end of a field effect transistor and then to use it as a high-breakdown-voltage semiconductor device. - 特許庁

ゲート電極面積を増大させることなく、フィールド酸化膜のエッジ部分でのソース及びドレイン領域のゲート電極下への回り込みによるリークを確実に防止することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which can surely prevent leakage current due to sneak current down to the gate electrode of the source and the drain regions at the edge of a field oxide film, without increasing the gate electrode area, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁