プラズマ発光スペクトルの英語

プラズマからの発光スペクトルをもとにその起因質を特定することのできる発光スペクトルの起因物質特定支援装置及び支援方法を提供する。例文帳に追加

To provide a causing substance specifying support device and a support method of an emission spectrum capable of specifying the causing substance based on the emission spectrum from plasma. - 特許庁

容器１０内に供給された該出発原料を含むガス成分により発生したプラズマの発光スペクトルから、窒素プラズマ発光強度を検出する。例文帳に追加

The nitrogen plasma emission intensity is detected from the emission spectrum of plasma generated by the gas content including the starting material fed into the vessel 10. - 特許庁

ウエハに対してプラズマ処理を行う際にプラズマから発光された発光スペクトルを光学計測器１２０により光学的データとして取得する。例文帳に追加

An emission spectrum of light which is emitted from plasma during a plasma treatment for a wafer is obtained by an optical measuring instrument 120 as optical data. - 特許庁

エッチング処理雰囲気内のインジウム由来のプラズマ発光スペクトルを測定し、このスペクトルの強度変化からエッチング終点を検出する。例文帳に追加

A plasma emission spectrum coming from indium in etching processing atmosphere is measured to detect the etching end from the intensity variation of this spectrum. - 特許庁

分光検出機構１８は、分光検出器１８２を含み、少なくともプラズマ中のイオンがターゲット１３に衝突して基板Ｗａｆへの蒸着粒子が生成される際のプラズマ領域の発光スペクトルを検出する。例文帳に追加

The spectroscopic detection mechanism 18 includes a spectroscopic detector 182, and detects the emission spectrum of a plasma area when ions at least in plasma collide with the target 13 to generate vapor deposition particles on a substrate Waf. - 特許庁

溶接時に発生するレーザ誘起プラズマの光を分光し、溶接欠陥の発生に関わる特定の元素の発光スペクトルの強度と、この元素の発光スペクトルの波長に近接する波長を持つ被溶接材の元素の発光スペクトルの強度との強度比に応じて欠陥発生の有無を判定する。例文帳に追加

By dispersing a beam of laser induction plasma generated in welding, presence or absence of defect generation is discriminated based on an intensity ratio between the emission spectrum intensity of the specific element relating to welding defect generation and the emission spectrum intensity of the material to be welded having a wave length close to a wave length of the specific element. - 特許庁

半導体基板上に形成された被膜をプラズマエッチングにより加工する際、前記プラズマエッチングにおける反応ガスに含まれる元素に起因する発光スペクトルの紫外領域における所定波長をモニタし、前記所定波長の強度の変化よりエッチング終点を検出する。例文帳に追加

At the time of working a coating formed on a semiconductor substrate by plasma etching, predetermined wavelength in the ultraviolet region of a light emission spectrum due to elements contained in reaction gas in the plasma etching is monitored so that an etching end point can be detected according to the change of the strength of the predetermined wavelength. - 特許庁

誘電体材料の成膜時において、該誘電体材料の成膜時間全体に亘って、プラズマが発するプラズマ発光スペクトル中における少なくとも１つの元素のプラズマ発光強度を、駆動装置８５の作動による基板ホルダー７２の上下移動により基板４１とターゲット７１との間の距離を変化させることで変動させる。例文帳に追加

In the deposition of the film of dielectric material, the plasma emission intensity of at least one element in the plasma emission spectrum emitted by plasma is fluctuated by changing the distance between the substrate 41 and a target 71 by the vertical movement of a substrate holder 72 by means of the operation of a driving device 85, over the whole length of the deposition time of the dielectric material. - 特許庁