ヘテロ接合度の英語

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＣドープＡｌ_xＧａ_1-xＡｓベース層中にＣ濃度の１０％以上のＣ−Ｈ濃度を含ませる。例文帳に追加

In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon. - 特許庁

第一の半導体領域１００と第二の半導体領域１０１とで構成されるヘテロ接合ダイオードに所定の逆バイアスが印加されたときに、少なくともヘテロ接合ダイオードの外周端部以外のヘテロ接合領域での耐圧が半導体装置の耐圧となるように、第二の半導体領域１０１の不純物濃度を設定して構成される。例文帳に追加

A semiconductor device is formed by setting the impurity concentration of a second semiconductor region 101 in such a manner that a breakdown voltage at least in a hetero-junction region except the outer peripheral end portion of the hetero-junction diode becomes the breakdown voltage of the semiconductor device at the time when a predetermined reverse bias is applied to the hetero-junction diode comprising a first semiconductor region 100 and the second semiconductor region 101. - 特許庁

ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。例文帳に追加

To obtain higher sensitivity in a diode-type ultraviolet sensor having lamination structure forming heterojunction. - 特許庁

この二つの半導体レーザに対応する反射面５−１は、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角度を持っている。例文帳に追加

The reflective face 5-1 corresponding to the two semiconductor laser devices has a right angle with respect to the hetero junction planes of the semiconductor laser devices. - 特許庁

２つの半導体層３，４間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル（２ＤＥＧ）が形成される。例文帳に追加

A high mobility electric-charge channel (2DEG) is formed near a heterojunction between two semiconductor layers 3 and 4. - 特許庁

電気的特性に優れた、特に動作速度が速く、電流増幅率が高いＧａＡｓＳｂ系のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To obtain a GaAsSb system heterojunction bipolar transistor which has excellent electrical characteristics, particularly a high operation speed and a high amplification factor. - 特許庁

ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。例文帳に追加

To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction. - 特許庁

遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction device that is composed of a transition metal oxide and has an excellent rectifying characteristic and photosensitivity. - 特許庁