ヘテロ接合度の英語

２つの半導体層３，４間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル（２ＤＥＧ）が形成される。例文帳に追加

A high mobility electric-charge channel (2DEG) is formed near a heterojunction between two semiconductor layers 3 and 4. - 特許庁

三　ヘテロ接合の半導体素子（動作周波数が三一・八ギガヘルツ未満の高電子移動度トランジスタ又はヘテロ接合バイポーラトランジスタを除く。）の設計又は製造に係る技術（プログラムを除く。）例文帳に追加

iii) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of hetero-junction microchips (excluding high electron mobility transistors or hetero-junction bipolar transistors whose operating frequency is less than 31.8 gigahertz発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction device that is composed of a transition metal oxide and has an excellent rectifying characteristic and photosensitivity. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＣドープＡｌ_xＧａ_1-xＡｓベース層中にＣ濃度の１０％以上のＣ−Ｈ濃度を含ませる。例文帳に追加

In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon. - 特許庁

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。例文帳に追加

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, at least two layers where the concentration of impurities is different are composed in an empty region that greatly affects the element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor from a gate electrode end to source/drain electrode ends, thus reducing the series resistance of the heterojunction field effect transistor, and at the same time achieving a high element breakdown voltage. - 特許庁

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。例文帳に追加

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage. - 特許庁

この二つの半導体レーザに対応する反射面５−１は、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角度を持っている。例文帳に追加

The reflective face 5-1 corresponding to the two semiconductor laser devices has a right angle with respect to the hetero junction planes of the semiconductor laser devices. - 特許庁

ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。例文帳に追加

To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction. - 特許庁