メモリ応用の英語

デジタルカメラ８の撮影画像および撮影日時が記録されているメモリカード９が挿入されると、マイコン応用回路４は位置記録メモリ６からメモリカード９の撮影日時に対応した位置情報データを取得して、メモリカード９の画像ファイルデータに付加する。例文帳に追加

When a memory card 9 with a photographed image and a photographing date and time of a digital camera 8 recorded thereon is inserted to the apparatus 1, the microcomputer application circuit 4 acquires the positional information data corresponding to the photographing date and time of the memory card 9 from the position recording memory 6 and attaches the data to image file data of the memory card 9. - 特許庁

他の応用にはジョセフソンメモリ、すなわち本質的に高速な極低温記憶装置がある。例文帳に追加

Another application is the Josephson memory, an inherently high-speed cryogenic memory.発音を聞く  - コンピューター用語辞典

ＭＦＯＳ１トランジスタメモリ応用向けチタンバッファ層を有するＨｉｇｈ−ｋゲート酸化物例文帳に追加

High-k GATE OXIDE HAVING TITANIUM BUFFER LAYER FOR MFOS1 TRANSISTOR MEMORY APPLICATION - 特許庁

チャージポンプ回路、不揮発性メモリ、データ処理装置、及びマイクロコンピュータ応用システム例文帳に追加

CHARGE PUMP CIRCUIT, NONVOLATILE MEMORY, DATA PROCESSING UNIT, AND MICROCOMPUTER APPLICATION SYSTEM - 特許庁

平面ディスプレイ上に応用されるメモリキャパシタ構造とその形成方法例文帳に追加

MEMORY CAPACITOR STRUCTURE APPLIED ON FLAT PANEL DISPLAY, AND METHOD FOR FORMING MEMORY CAPACITOR STRUCTURE - 特許庁

また、応用装置７３，８３に、立上回数８８を保持する不揮発性メモリ８７を設ける。例文帳に追加

Also, the devices 73, 83 are provided with a nonvolatile memories 77, 87 for holding the number of starts 88. - 特許庁

本発明の有機メモリ素子は、熱安全性、不揮発特性に優れているため不揮発性大容量保存装置に応用可能であり、フレキシブル電極を利用する場合にフレキシブルメモリ素子にも応用可能である。例文帳に追加

The organic memory device is excellent in thermal security and nonvolatile characteristic, and therefore applicable to a nonvolatile large-capacity storage device, in addition, applicable to a flexible memory device when a flexible electrode is used. - 特許庁

このように構成することによって、２個の量子点を応用した多値メモリを具現化することが可能となり、他のメモリとは異なってＭＯＳＦＥＴのスケールダウンによる短チャネル効果のような物理的限界に達することなく、１Ｔｂ以上の超高集積メモリを具現化することができる。例文帳に追加

By the above constitution, the multi-valued memory applying the two quantum points can be realized, is made different from the other memory and can be realize an extreme high integration memory of 1 Tb or more without attaining a physical limit such as short channel effect due to MOSFET scale- down. - 特許庁