意味 | 例文 (14件) |
「モット絶縁」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
一次元モット絶縁体、一次元モット絶縁体薄膜及びそれらの製造方法例文帳に追加
ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR, ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
開示されている半導体記憶装置は、浮遊ゲート6に一部分が接すると共に他部分がP型シリコン基板1に接するようにモット絶縁体7を設け、このモット絶縁体7に金属−絶縁相転移を生じさせる。例文帳に追加
Metal-insulator phase transition is caused in the insulator 7. - 特許庁
有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。例文帳に追加
Using a raw material to obtain an organic Mott insulator, a non-conductive nanowire 24, the organic Mott insulator, is manufactured by an electrolytic method under prescribed conditions of an electrode shape and an applied voltage. - 特許庁
有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー、製造方法及びそれを用いたトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a nonconductive nanowire which is an organic Mott insulator, and to provide a method for manufacturing the nanowire, and a transistor using the nanowire. - 特許庁
埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有するFETの構造、およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加
To obtain a structure and a manufacturing method of a FET having a buried Mott insulating oxide channel. - 特許庁
また、抵抗層の中心層は、電圧によって金属−絶縁体転移(モット転移)が誘起され、抵抗が大きく変化する。例文帳に追加
Moreover, in the main layer of the resistance layer a metal to insulator transition (Mott transition) is induced by voltage, and the resistance is changed by a large amount. - 特許庁
モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of inducing a phase transition of perovskite-type oxide for easily inducing a phase transition between an insulator phase and a metal phase of perovskite-type oxide which is a Mott insulator. - 特許庁
「モット絶縁」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により,有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する,この方法によれば微細な非導電性ナノワイヤーを効果的に得られる。例文帳に追加
The nonconductive nanowire as an organic Mott insulator is manufactured by an electrolytic method using a source material which becomes an organic Motto insulator and controlling an electrode shape and an application voltage according to predetermined conditions. - 特許庁
絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層3と該第一固体材料層3とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層5とのp−n接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池1。例文帳に追加
In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers. - 特許庁
ヘテロ接合を形成する二つの領域は互いに異なる相、例えば強磁性相および常磁性相あるいは金属相およびモット絶縁相である。例文帳に追加
The two areas forming the heterojunction have different phases, for example, a ferromagnetic phase and a paramagnetic phase or a metallic phase and a Mott insulation phase. - 特許庁
モット絶縁状態にある3次元光格子ポテンシャルに原子aが捕捉されている状態(図1(a))から、光超格子に原子aが捕捉されている状態(図1(d))まで滑らかに変化させることで、光超格子を実現する。例文帳に追加
The optical superlattice is realized by smoothly changing states ((a) in Fig.) of the atoms a trapped by three-dimensional optical lattice potential in the Mott insulating state to states ((d) in Fig.) of the atoms a trapped by the optical superlattice. - 特許庁
抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属−絶縁体転移(モット転移)が誘起される特性を有する。例文帳に追加
A resistance layer has a structure that a transition metal or an alloy containing the transition metal is involved in a carbon nanotube, and has a characteristic in which a metal-insulator transition (Mott transition) is induced by applying a voltage or current. - 特許庁
そして、浮遊ゲート6に対してキャリアである電子の注入又は放出を行う場合、ゲート酸化膜5を通じてではなく、モット絶縁体7の金属相を通じてキャリアの注入又は放出を行う。例文帳に追加
At the time of injecting or discharging electrons into and from the floating gate 6 as carriers, the injection and discharge are not performed through a gate oxide film 5, but through the metallic phase of the Mott insulator 7. - 特許庁
モット絶縁状態にある光格子ポテンシャルに対して、波数ベクトルの比が有理数となる別の光ポテンシャルを重畳することにより、原子aが詰まっていない空の光ポテンシャル極小点eを周期的に有する光超格子を製造する。例文帳に追加
This optical superlattice periodically having an empty optical potential minimum point e which is not filled with atoms a is manufactured by superimposing separate optical potential having a ratio of wavenumber vector to be a rational number on optical lattice potential in a Mott insulating state. - 特許庁
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