レベンソンの英語

レベンソン位相シフトマスク１０に代えてシフタエッジ位相シフトマスク使用することができる。例文帳に追加

A shifter edge phase shift mask may be used in place of the mask 10. - 特許庁

レベンソンマスクの製造方法は、（ａ）工程と（ｂ）工程とを具備している。例文帳に追加

A method for manufacturing the Levenson phase shift mask includes a (a) step and a (b) step. - 特許庁

半導体製造方法、マスクパターンの形成方法及びレベンソン型位相シフトマスク。例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, AND LEVENSON TYPE PHASE SHIFT MASK - 特許庁

微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a levenson type mask forming a fine pattern. - 特許庁

レベンソン位相シフトマスクの露光パターンに位置ずれ、コントラスト低下の改善を図る。例文帳に追加

To ameliorate the deviation in position and the degradation in contrast in exposure patterns of a Levenson type phase shift mask. - 特許庁

レベンソンマスクにおける基板の掘り込み部の側壁からの光を適切に抑制することができ、解像度や焦点深度を改善し、転写特性を向上させることができるレベンソンマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a Levenson phase shift mask capable of restraining properly light from a side wall of an engraved part of a substrate in the Levenson phase shift mask, capable of improving resolution and a focal depth, and capable of enhancing a transfer characteristic. - 特許庁

レベンソンマスク１０，２０は、遮光部１１１，…を挟んでシフタ部１２１，…及び非シフタ部１３１，…が対向配置されたパターンを有する。例文帳に追加

Levenson masks 10 and 20 have patterns in which shifter parts 121,... and non-shifter parts 131,... are arranged opposite to each other across shading parts 111,.... - 特許庁

そして、この関係に基づいて、位相差異常及び透過率差異常を検出し、レベンソン位相シフトマスク４のデバイスパターンを補正する。例文帳に追加

The phase difference abnormality and transmittance difference abnormality are detected, base on the relation to correct the device pattern of the Levenson phase shift mask 4. - 特許庁