不均一成長の英語

連結用溝３０は、溝２４内のメッキ液の流れを改善し、メッキの不均一成長によってＸ線透過部２６が倒れるのを防止する。例文帳に追加

The connecting groove 30 improves flow of plating solution in the grooves 24 to prevent the X-ray transmission part 26 from collapsing due to uneven plating deposition. - 特許庁

ウェハ上に成膜される気相成長膜の全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase deposition that improve the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of a vapor phase deposited film formed on a wafer. - 特許庁

エピタキシャル成長層の膜厚の面内分布の不均一を招くなどの問題を生じさせることなく、しかもシリコンウェーハ基板に酸化膜を形成せずに、エピタキシャル成長層のドーパント濃度面内不均一をなくす。例文帳に追加

To prevent the generation of a problem that the non-uniformity of the in-face distribution of the film thickness of an epitaxial growth layer, and to prevent the generation of the in-dopant concentration surface non-uniformity of the epitaxial growth layer without forming any oxide film on a silicon wafer substrate. - 特許庁

ハロゲンランプによる輻射熱の不均一を無くし、半導体ウェーハにエピタキシャル膜を均一に成膜するエピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth apparatus which forms uniformly an epitaxial film on a semiconductor wafer by eliminating the unevenness of the radiating heats generated from its halogen lamps. - 特許庁

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method. - 特許庁

Ｓｉ混晶層における選択成長用マスクの開口率の違いによりエピタキシャル成長が不均一となることを防止すると共に、半導体素子のキャリア移動度を向上できるようにする。例文帳に追加

To prevent epitaxial growth from being uneven owing to a difference in numerical aperture of a mask for selective growth in an Si mixed crystal layer, and to improve carrier mobility of a semiconductor element. - 特許庁

ミクロ的な組成分布が不均一な多元系多結晶からなる基板１０と、この基板上に薄膜結晶を堆積成長させてなる堆積成長層２０との２層ヘテロ構造を備えた太陽電池。例文帳に追加

A solar cell is provided with a double-layer heterostructure of a substrate 10 comprising a polycrystal of plural elements having a non- uniform micro composition distribution and a deposit 20 formed by depositing to grow a thin film crystal on this substrate. - 特許庁

不純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する例文帳に追加

To provide a device for forming a chemical vapor deposition semiconductor film, forming a semiconductor film having a uniform impurity concentration on a substrate by chemical vapor deposition. - 特許庁