不純物添加～の英語

また、蛍光発光防止のためには消光用不純物を添加する。例文帳に追加

Furthermore, quenching impurities are added to prevent firefly luminescence. - 特許庁

次いで、不純物添加ＰＺＴ膜２４に対する結晶化アニールを行う。例文帳に追加

Subsequently, crystallization annealing is executed for the impurity-doped PZT film 24. - 特許庁

不純物が添加されたシリカ体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silica body with impurities added. - 特許庁

非金属不純物を添加した光触媒材料とその作製法例文帳に追加

NONMETALLIC IMPURITY-ADDED PHOTOCATALYTIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

キャップ層には第１導電型の不純物が添加されている。例文帳に追加

First conductivity impurities are added in advance to the cap layer 4. - 特許庁

蛍光発光防止のためには消光用不純物を添加する。例文帳に追加

Impurities for quenching are added for preventing fluorescent light emission. - 特許庁

このとき、シリコン膜のうちメモリセル部上の領域に第１の不純物濃度になるように不純物を添加し、ロジック回路部上の領域に、第１の不純物濃度よりも低濃度の第２の不純物濃度になるように不純物を添加する。例文帳に追加

The impurity is added to the area over a memory cell part of the silicon film so as to have a first impurity concentration, and to the area over a logic circuit part so as to have a second impurity concentration which is lower than the first impurity concentration. - 特許庁

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。例文帳に追加

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer. - 特許庁