二次構造形成の英語

極めて安全性の高い防爆弁の構造を形成した密閉二次電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a secondary battery with the construction of an explosion- proof valve with high safety. - 特許庁

次に基板２２上絶縁層２０を含む第二多層化構造１８を形成し、第一多層化構造１０に接合する。例文帳に追加

Then, a second multilayered structure 18, including an insulating layer 20, is formed on a substrate 22 and jointed with the first multilayered structure 10. - 特許庁

複数の棒状体１１により構成される二次元基本構造体２１〜２４を光造形法により順次形成しつつ積層し、三次元周期構造体１を形成する。例文帳に追加

A two-dimensional basic structure consisting of a plurality of rods 11 is sequentially formed and layered by an optical forming method to form the three-dimensional periodic structure 1. - 特許庁

二次構造形成の破壊による向上したハイブリダイゼーションアッセイを提供するための二目的プライマーおよびプローブ例文帳に追加

TWO-PURPOSE PRIMER AND PROBE FOR PROVIDING IMPROVED HYBRIDIZATION ASSAY BY DISRUPTION OF SECONDARY STRUCTURE FORMATION - 特許庁

所定の酵素と複合体を形成することが可能な複数の化合物の二次元構造式を重ね合わせて作成された鋳型の環構造に対し、予測対象化合物の二次元構造式にある環構造が同一の位置となるように配置する。例文帳に追加

A ring structure of a predicted target compound which is in a two-dimensional structural formula is arranged so as to be in an identical position as a ring structure of a template generated by superimposing the two-dimensional structural formulae of a plurality of compounds capable of forming a complex with a predetermined enzyme. - 特許庁

高周波素子は、二次元電子４の伝導層を含む半導体積層構造３と、二次元電子伝導層の一端に相当する半導体積層構造３の端部に形成された複数の電極７，８とを備える。例文帳に追加

A high-frequency device comprises a semiconductor laminate structure 3 including a conductive layer for a two-dimensional electron 4, and a plurality of electrodes 7 and 8 that are formed on an edge of the semiconductor laminate structure 3, which is corresponding to one end of the two-dimensional electron conductive layer. - 特許庁

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。例文帳に追加

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure. - 特許庁

そして、該二次ダメージ層２に異方性エッチングを施すことによりテクスチャ構造３を形成し、該テクスチャ構造３上に受光面側電極５を形成する。例文帳に追加

Then, the secondary damaged layer 2 is subjected to anisotropic etching to form the texture structure 3, and an electrode 5 at the side of a light reception surface is formed on the texture structure 3. - 特許庁