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体心立方格子金属の英語
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英訳・英語 body‐centered cubic metal
「体心立方格子金属」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
結晶格子が、面心立方格子、体心立方格子、最密六方格子である高純度合金を含む金属合金の結晶子をナノメートルサイズ(10^−9m〜10^−6m)、マイクロメートルサイズ(10^−6m〜10^−3m)に微細化し、その形状を調整する。例文帳に追加
A metal alloy crystallite containing a high-purity alloy having a crystal lattice that is a face-centered cubic lattice, a body-centered cubic lattice, or a close-packed hexagonal lattice is refined into a nanometer size (10^-9 m to 10^-6 m) and a micrometer size (10^-6 m to 10^-3 m), and the shape of the metal alloy crystallite is adjusted. - 特許庁
金属薄膜の陽極接合によって酸化されていない部分は前記金属薄膜の主組成の体心立方格子構造の微結晶を含み、前記微結晶の格子定数が前記主組成のバルクの格子定数より小さい。例文帳に追加
A part of the metal thin film that is not oxidized by the anode bonding comprises fine crystal having a body-centered cubic lattice structure of the main composition of the metal thin film, wherein the lattice constant of the fine crystal is smaller than the lattice constant of the bulk of the main composition. - 特許庁
成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、 結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。例文帳に追加
The deposition method is a method of a metal film at least a part of which is etched after deposition, wherein the metal film consisting of the metal or the ruthenium is formed on a substrate, by flowing source gas and nitrogen gas on the substrate to decompose the source gas, the source gas is composed of gas involving the metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and hydrogen gas. - 特許庁
結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a deposition method capable of securely and easily etching back metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and to provide a manufacturing method of an electronic device. - 特許庁
Ti合金1,2の接合部3において、Ti合金1,2の接合後の金属組織が、最密立方格子の構造を有するα相の等軸組織、α相と体心立方格子の構造を有するβ相との2相が共存しているα+β相の等軸組織、及びβ相の等軸組織のいずれかである。例文帳に追加
At the joint part 3 of Ti alloys 1 and 2, a metal structure after the Ti alloys 1 and 2 are jointed, is one of an α-phase equiaxed structure having a close-packed cubic lattice, an (α+β)-phase equiaxed structure where two phases of the α-phase and the β phase having a body-centered cubic lattice coexist, and a β-phase equiaxed structure. - 特許庁
体心立方格子構造を有する高融点金属のNb固溶体とB2型金属間化合物TiNiとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるNb相と常伝導相となるTiNi相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。例文帳に追加
The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state. - 特許庁
焼結温度において原子配列が面心立方格子となるような、元々焼結性に劣る組成であっても、焼結性を向上させ、機械的特性に優れた焼結体を容易に製造することができる金属粉末、およびこの金属粉末を用いて製造された機械的特性に優れた焼結体を提供すること。例文帳に追加
To provide metal powder the atomic array of which becomes a face-centered cubic lattice at sintering temperature, the sinterability of which is improved even when the metal powder has the composition originally poor in sinterability and from which a sintered compact having excellent mechanical properties can be produced and to provide the sintered compact which is produced by using the metal powder and has excellent mechanical properties. - 特許庁
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「体心立方格子金属」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
コバルト・クロム基合金からなる生体用鋳造基材であって、窒素(N)を0.1質量%以上含むと共に、金属組織におけるfcc(面心立方格子)相の体積分率が50%以上であることを特徴とする拡散硬化処理性に優れた生体用コバルト・クロム基合金鋳造基材。例文帳に追加
The biomedical cast substrate of the cobalt-chromium-based alloy superior in diffusion hardening treatability is a biomedical cast substrate formed from a cobalt-chromium-based alloy; and includes 0.1 mass% or more nitrogen (N) and has a metallurgical structure in which an fcc (face centered cubic lattice) phase occupies 50% or more by a volume fraction. - 特許庁
第1導電型(P型またはN型)の半導体層11のチャネル領域12上にゲート絶縁膜13及びこのゲート絶縁膜13上に金属部材、窒化タンタル層141、体心立方格子相のタンタル層142、窒化タンタル層143の積層を含むゲート電極14が構成されている。例文帳に追加
The gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a metallic member, a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is provided on the gate insulation film 13. - 特許庁
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