側壁酸化物構造の英語

ゲート電極８の側壁構造は側壁に近い順にシリコン酸化膜１０ａ・シリコン窒化膜１０ｂ・シリコン酸化膜１０ｃ・プラズマシリコン窒化物などの窒化膜１０ｄの積層膜からなる。例文帳に追加

The gate electrode 8 has a multilayer sidewall structure composed of a silicon oxide film 10a, a silicon nitride film 10b, a silicon oxide film 10c, and a nitride film 10d of a plasma silicon nitride, for example, arranged sequentially from the sidewall. - 特許庁

続いて底部絶縁層上方の基板側壁にパッド酸化層物を形成した後第２絶縁層を形成することにより、パッド酸化層、パッド層構造と底部絶縁層表面を被覆する。例文帳に追加

After a pad oxide layer is formed on a side wall of the substrate above the bottom insulating layer, a second insulating layer is formed, thereby covering the pad oxide layer, the pad layer structure and a surface of the bottom insulating layer. - 特許庁

酸化物１２で覆われたシリコン基板１０の上に付着させた積上げ構造体１４の中に垂直方向のスロットを形成し、その後にスロットの側壁にスペーサを形成する。例文帳に追加

A slot in a vertical direction is formed in an stacked structure 14 adhered to a silicon substrate 10 covered with an oxide 12, and thereafter a spacer is formed on the sidewall of the slot. - 特許庁

次に第２絶縁層をエッチングして、トレンチ内のパッド層構造及びパッド酸化物層側壁にカラー絶縁層を形成し、これに伴って底部絶縁層を除去する。例文帳に追加

The second insulating layer is etched, a collar insulating layer is formed on the pad layer structure in the trench and a side wall of the pad oxide layer, and the bottom insulating layer is eliminated in accordance with the formation of the collar insulating layer. - 特許庁

（１）電極パターンに対応した凸状の構造体が形成された透明基板上に、酸化物からなる透明導電膜で形成された電極を有し、構造体上の透明導電膜の膜厚が、構造体に挟まれた透明基板上及び構造体の側壁に形成された透明導電膜の膜厚よりも厚い透明電極付き基板。例文帳に追加

(1) The substrate with a transparent electrode includes a transparent substrate where a projected structure corresponding to an electrode pattern is formed, an electrode formed on the transparent substrate and formed of a transparent conductive film of an oxide, in which the film thickness of the transparent conductive film on the structure is larger than the thickness of the transparent conductive film formed on the transparent substrate interposed by the structures and on a sidewall of the structure. - 特許庁

抵抗変化材料に含まれる金属酸化物の反応生成物がＭＩＭ型素子の側壁に付着した場合でも、抵抗変化素子の性能を劣化させない素子構造を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device having an element structure which does not deteriorate performance of a resistance change element even when the reaction product of metal oxide contained in the resistance change material sticks on the side wall of an MIM type element, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

相変化メモリ素子では、第１電極１０３および第２電極１０７と、第１電極１０３および第２電極１０７の間に形成され、第１電極１０３を第２電極１０７と電気的に接続する第１相変化材料層１１４と、第１相変化材料層１１４の側壁を覆う酸化物襟構造１１２ａとを備える。例文帳に追加

The phase change memory element includes a first electrode 103, a second electrode 107, a first phase variation material layer 114 formed between the first electrode 103 and the second electrode 107 for connecting the electrode 103 with the second electrode 107 electrically, and an oxide collar construction 112a for covering the side wall of first phase variation material layer 114. - 特許庁