共結晶化の英語

これにより、炭化珪素単結晶４が成長すると共に、多結晶成長部材１３の表面１３ｃに炭化珪素単結晶４と同等の高さとなる多結晶６が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁

結晶面方位の制御とグレインバウンダリーの発生による多結晶化の防止とを両立できる単結晶育成用ルツボを提供すると共に、このルツボにより育成される高品質のフッ化物結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a crucible for growing a single crystal, which satisfies both of control of crystal face orientation and prevention of polycrystallization caused by the generation of a grain boundary; and to provide a high quality fluoride crystal grown by using the crucible. - 特許庁

イオンの共注入による母結晶中での異種化合物の合成方法例文帳に追加

METHOD OF SYNTHESIZING DIFFERENT KIND OF COMPOUND IN BASE CRYSTAL BY ION COIMPLANTATION - 特許庁

基板５２上に結晶化下地である共通電極４６を形成する。例文帳に追加

On a board 52, a common electrode 46 which is a crystallization base is formed. - 特許庁

低結晶度の弗化ビニリデンヘキサフルオルプロピレン共重合体例文帳に追加

LOW-CRYSTALLINITY VINYLIDENE FLUORIDE HEXAFLUOROPROPYLENE COPOLYMER - 特許庁

二種の粉末の炭化珪素を焼結して結晶粒の大きさを０．０１０から０．０３０ｍｍの範囲の結晶組織に形成すると共に、この結晶粒界の間に沿って黒鉛結晶層を形成するものある。例文帳に追加

Two kinds of silicon carbide powder are sintered to form crystal organization having crystal grain size in a range of 0.010 to 0.030 mm and further a graphite crystal layer is formed along the crystal grain boundary. - 特許庁

保護膜は、保護膜が設けられている共振器の端面を構成する窒化物半導体結晶の結晶面とは結晶軸が互いに９０度をなす結晶面を有している。例文帳に追加

The protective film has a crystal plane whose crystal axis is at 90 angle from that of the crystal surface of the nitride semiconductor crystal constituting the end face of the resonator to which the protective film is provided. - 特許庁

結晶育成後の冷却工程において結晶にクラックが入る事態を確実に防止できると共に結晶品質を維持することのできる化合物半導体単結晶の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a production process by which cracks can surely be prevented from being caused in the crystal and the crystal quality can be maintained, in a cooling stage for the grown crystal after the growth of a compound semiconductor single crystal, and also to provide the device for the production process. - 特許庁