co-crystalとは 意味・読み方・使い方

The Co-Ni based alloy includes Co, Ni, Cr, and Mo, wherein the Co-Ni-based alloy has a crystal texture in which a Goss orientation is a main orientation.例文帳に追加

本発明のＣｏ−Ｎｉ基合金は、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｒおよびＭｏを含んでなり、集合組織がＧｏｓｓ方位を主方位とすることを特徴とする。 - 特許庁

POLYMERIZABLE LIQUID CRYSTAL COMPOUND HAVING CONDENSED RING, AND HOMO- AND CO-POLYMERS OF THE POLYMERIZABLE LIQUID CRYSTAL COMPOUND例文帳に追加

縮合環を有する重合性液晶化合物並びに該重合性液晶化合物の単独重合物及び共重合物 - 特許庁

A Co rutile single crystal 1 used for the magneto-optic element is manufactured in a crystal growth apparatus equipped with an FZ furnace 4.例文帳に追加

この磁気光学素子に用いるＣｏルチル単結晶１は、ＦＺ炉４を備えた結晶育成装置によって製造される。 - 特許庁

Since a 002 crystal face of Co is preferentially grown epitaxially on a 110 crystal face of Cr or NiA1, the crystal orientation of the Co particles is improved, and magnetic characteristics are improved even when the film thickness of the magnetic layer 2 is made thin.例文帳に追加

ＣｒまたはＮｉＡｌの（１１０）結晶面の上に、Ｃｏの（００２）結晶面が優先的にエピタキシャル成長するので、Ｃｏ粒子の結晶配向が向上し、磁性層２の膜厚を薄くしても磁気特性を向上させることができる。 - 特許庁

The bias layer comprises cobalt(Co), and is formed on various base material layer comprising such crystal structure as promoting in-plane conformity of C-axis of the Co.例文帳に追加

バイアス層はコバルト（Ｃｏ）を含み、そのＣｏのＣ軸の平面内整合を促進する結晶構造を有する様々な下地層上に形成される。 - 特許庁

This method consists in substituting part of the component atoms of the Co-, Bi-substd. rare earth iron garnet for bivalent positive elements exclusive of Co and subjecting the single crystal to a reduction treatment in an atmosphere of a low hydrogen concn.例文帳に追加

Ｃｏ，Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットの構成原子の一部をＣｏ以外の２価の陽性元素で置換し、この単結晶を低水素濃度の雰囲気中で還元処理する方法である。 - 特許庁

The thermoelectric element has a ZrCuSiAs type crystal structure, and the composition is shown as LnTPnO_x (Ln is rare earth, M is at least metal atom chosen from Fe, Ru, Os, Co, Ni and Cu, Pn is P, As or Sb, and x is a number of 1.1-0.5).例文帳に追加

ZrCuSiAs型結晶構造を持ち、かつ組成がLnTPnO_x(Lnは希土類を、MはFe,Ru,Os,Co,NiおよびCuから選ばれた少なくとも金属原子を、PnはP、AsまたはSbを、xは1.1〜0.5の数を示す)で示される熱電素子。 - 特許庁

The Si and Co are individually heated by an electron gun 16, and the amounts of the Si and Co to be vapor-deposited are individually controlled by first and second crystal oscillators 15a, 15b and a controller 50.例文帳に追加

電子銃１６により、Ｓｉ，Ｃｏを個別に加熱し、第１，第２水晶振動子１５ａ，１５ｂおよび制御装置５０により、Ｓｉ，Ｃｏの蒸着量を個別に制御する。 - 特許庁