制御流れグラフの英語

制御フローグラフ生成部１２は、ソースコードから処理の流れをグラフ形式で表示した制御フローグラフを生成する。例文帳に追加

A control flow graph generating section 12 generates a control flow graph that displays a flow of a processing in a graph form, from a source code. - 特許庁

検出制御回路２０は、リング電極５を流れる電流を検出して、この電流の値が一定となるように、リング電極４に印加するバイアス電圧を制御するとともに、このバイアス電圧をクロマトグラフとして出力する。例文帳に追加

A detection control circuit 20 detects current flowing through the ring electrode 5, controls a bias voltage applied to the ring electrode 4 so that the value of the current becomes constant, and the bias voltage is outputted as chromatograph. - 特許庁

本発明の電子素子は、ナノサイズのグラフェン構造体が担持され略真空中で電子を放出する陰極と、前記陰極から放出された電子を集める陽極と、前記陰極から前記陽極に流れる電子の流れを制御する制御電極とからなることを特徴とする。例文帳に追加

The electron element comprises a negative electrode with a nano-size graphene structure retained and emitting electrons in a quasi-vacuum, a positive electrode collecting the electrons emitted from the negative electrode, and a control electrode controlling flow of electrons flowing from the negative electrode to the positive electrode. - 特許庁

次に、ＣＡＬＬ文または予め定められた条件を満たす多重ループに対応するノードと、ノード間の制御の流れを表すエッジとからなる有向グラフであるコントロールフローグラフ上で優先順位の高いエッジに沿って分割の決定と分割の衝突の解決を行う。例文帳に追加

On a control flow graph 111 as a directional graph composed of nodes corresponding to multiple loops meeting a CALL sentence or predetermined conditions and edges representing flows of control between the nodes, divisions are determined and a conflict of divisions is solved along edges with high priority. - 特許庁

本発明は切換弁を用いて移動相の流れを制御する試料注入装置及び試料注入方法及び液体クロマトグラフィ装置に関し、キャリーオーバーをより確実に低減することを課題とする。例文帳に追加

To surely reduce a carrying-over in the present invention, as to a sample injection device, a sample injection method and a liquid chromatography unit capable of controlling a flow of a mobile phase using a change-over valve. - 特許庁

液浸リソグラフィ装置は、入口ポートに提供される流体の流量および出口ポートから除去される流体の流量を変化させることによって流体入口を通る流体の流れを制御する流体供給システムをさらに含む。例文帳に追加

The immersion lithographic apparatus further includes a fluid supply system configured to control fluid flow through the fluid inlet by varying the flow rate of fluid provided to the inlet port and the flow rate of fluid removed from the outlet port. - 特許庁

ＳｉＣの表面からなる基板３上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板３からのシリコンの昇華９の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガスや不活性ガス以外のガスの流れによって制御されること。例文帳に追加

In manufacturing graphene by the epitaxy method on a substrate 3 comprising a surface of SiC, the process of sublimation of silicon 9 from the substrate 3 is controlled by a flow of an inert gas or a gas other than the inert gas through an epitaxial reactor. - 特許庁