半空間問題の英語

ウェハ基板間の気密封止空間に素子を収容したウェハレベル半導体装置の製造方法において、貫通孔の信頼性や歩留りの問題を解消する。例文帳に追加

To eliminate problems of reliability of through-hole and manufacturing yield in the manufacturing method of wafer level semiconductor device accommodating an element to an air-sealing space between wafer substrates. - 特許庁

このエアフィルタ８をケミカルフィルタ７の下流側に設置すると、エアフィルタ８の下流側の空間４は、半導体装置製造の際に問題となる有機物および／または無機物が実質的に存在しないようになる。例文帳に追加

By installing the air filter 8 in the downstream side of a chemical filter 7, substantially no organic substance and/or inorganic substance causing problems in manufacturing semiconductor devices can be present in a space 4 in the downstream side of the air filter 8. - 特許庁

従来の半導体装置では、半導体装置が所定の空間において存在するか存在しないか、またその半導体装置が所有しているＩＤなどの情報を得ることはできるが、その半導体装置が所定の空間においてどこにあるかという場所を求めることはできないという問題点を課題とする。例文帳に追加

To solve a problem that in a conventional semiconductor device, although information such as whether the semiconductor device exists in a predetermined space and information on an ID and the like included in the semiconductor device can be obtained, a position where the semiconductor is located in the predetermined space can not be identified. - 特許庁

透明電極１０及び半導体層２０からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層４０中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。例文帳に追加

Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc. - 特許庁

探針／試料表面距離が不明、試料表面の空乏層 厚が不明、空乏層領域での計測が困難、という従来技術の問題点を解決し、固体表面、特に半導体表面の表面電位分布を、走査型トンネル顕微鏡を用いて高い空間分解能で定量的に計測する方法とそのための装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for quantitatively measuring the surface potential distribution of a solid, especially a semiconductor with high space dissolving capacity using a scanning type tunnel microscope by solving the conventional technical problem that the distance between a probe and the surface of a sample and the thickness of the depleted layer of the surface of the sample are unclear and the measurement in the depleted layer region is difficult, and an apparatus therefor. - 特許庁