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応力光定数の英語

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日英・英日専門用語辞書での「応力光定数」の英訳

応力光定数


「応力光定数」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

δがの位相差、dが導基板520の厚さ、Cが相対応力定数、Δσが応力差、λがの波長を示す場合、両方の応力/ひずみによるの位相差δは次式δ=2πCdΔσ/λを満足する。例文帳に追加

The phase difference δ of light caused by the both stress strains satisfies the following equation δ=2πCd/λ wherein δ designates phase difference, d designates the thickness of the light guide plate 520, C designates the optical constant of a relative stress, Δσdesignates a stress difference, and λ designates the wave length of light. - 特許庁

また、該高分解機能な応力付加ステージの該検量線を関連する被測定材料用の弾性測定装置に具備し、物性値である弾性定数が未知であっても弾性位相差信号強度から応力に換算し応力値を得る弾性測定装置を提供する。例文帳に追加

The photoelasticity measuring apparatus for a related material under measurement includes the calibration curve of the high-resolution stress application stage and converts the photoelastic phase difference signal intensity into stress to obtain a stress value, even when a photoelastic constant, or a physical property value, is unknown. - 特許庁

層15の形成時において、サファイア基板10とnコンタクト層11との熱膨張係数差、格子定数差によってウェハを反らせる応力が発生するが、湾曲緩和層12を挿入したことにより、その応力とは反対方向に応力が生じる。例文帳に追加

Although a stress warping a wafer is produced due to difference in coefficient of thermal expansion and difference in lattice constant between a sapphire substrate 10 and the n-contact layer 11 in formation of the light emitting layer 15, the insertion of the curvature lessening layer 12 causes a stress in the opposite direction to this stress. - 特許庁

前記半導体層は、前記透層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer has a larger thermal expansion coefficient than the light-transmitting layer, has a smaller lattice constant than the active layer, and has tensile stress in an in-plane direction. - 特許庁

前記第1窒化物半導体層は、前記透層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第1導電形である。例文帳に追加

The first nitride semiconductor layer has a larger thermal expansion coefficient than the light-transmitting layer, has a smaller lattice constant than the active layer, has tensile stress in an in-plane direction, and has a first conductivity type. - 特許庁

反射型液晶パネルと組合わせ使用する偏ビームスプリッタ、ダイクロイックプリズム等の偏透過部品の弾性定数、該部品に加わる応力透過長3者の積を一定値以下として複屈折の発生を抑える。例文帳に追加

The occurrence of birefringence is suppressed by specifying the product of three; the photoelastic coefficient of polarizing transmission components, such as a polarizing beam splitter used in combination with a reflection type liquid crystal panel, a dichroic prism, the stress acting on these components and light transmission length to a specified value or below. - 特許庁

例文

反射型液晶パネルと組合わせ使用する偏ビームスプリッタ、ダイクロイックプリズム等の偏透過部品の弾性定数、該部品に加わる応力透過長3者の積を一定値以下として複屈折の発生を抑える。例文帳に追加

The product of three factors which are the photoelastic modulus of parts which transmit polarized light such as a polarization beam splitter, dichroic prism and the like to be used in combination with a reflection type liquid crystal panel, the stress added to the parts and the transmission length of light is controlled to a specified value or smaller so as to suppress generation of birefringence. - 特許庁

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「応力光定数」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

ガラス転移温度が高く、応力定数、複屈折値が低いセルロースエステルフィルムとすることができる新規なセルロースエステルを提供し、該セルロースエステルフィルムを用いて偏フィルムとして、線透過率と偏度に優れる偏板を提供することであり、更には該偏板を用いて視認性の良い液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a novel cellulose ester capable of being made to a cellulose ester film with a high glass transition temperature and low stress optical constant and double refraction, to provide a polarization plate with excellent light transmittance and polarization degree as a polarization film using the cellulose ester film, and to further provide a liquid crystal display apparatus with a sufficient visibility using the polarization plate. - 特許庁

例文

Ga_bAl_cN(式中、0<b≦1、0≦c<1、b+c=1)よりなる下地層と、該下地層よりバンドギャップの小さいIn_xGa_yAl_zN(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)よりなるノンドープの発層と、該発層よりバンドギャップが大きくGa_b'Al_c'N(式中、0<b’≦1、0≦c’<1、b’+c’=1)よりなるノンドープの保護層とをこの順に有機金属気相成長法により積層し、かつ該発層の膜厚を5Å以上90Å以下とし、該発層の格子定数が該下地層の格子定数より大きく、かつ発層に対して接合方向に圧縮応力が加わるようにすることを特徴とする発素子の製造方法。例文帳に追加

The thickness of the light emitting layer is 5Å to 90Å, the lattice constant of the light emitting layer is larger than the lattice constant of the lower layer, and a compression stress is exerted to the light emitting layer in the junction direction. - 特許庁

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