成長方位の英語

損傷部位２の近傍を切除面が結晶の優先成長方位である［００１］方位を向くように除去する。例文帳に追加

The vicinity of a damaged part 2 is removed in a way that the cutout plane is directed to the direction [001] in which crystals preferentially grow. - 特許庁

素子を、基体上に任意方位で成長した磁性層と、基体と磁性層の間に他の層（方位変換層）を挿入して前記方位とは異なる方位で成長した磁性層とで構成し、両磁性層の間の粒界を横切る経路の電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。例文帳に追加

The element comprises a magnetic layer grown on a basic body in an arbitrary orientation, and a magnetic layer grown in a different orientation by inserting other layer (orientation converting layer) between the basic body and the magnetic layer wherein the electric resistance of a passage traversing a grain boundary between both magnetic layers is detected under control of an external field. - 特許庁

エピタキシャル成長は、単結晶基板または成長表面の結晶学的方位からとられたまたはこれをエミュレートする結晶学的方位を有するピエゾ電気膜を意味する。例文帳に追加

The epitaxial growth means the piezoelectric film having a crystallographical azimuth which is taken from the crystallographical azimuth of a single crystal substrate or a growing surface or emulates this. - 特許庁

面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin film by growth of an atom layer, which enables increase in difference in growth speed which depends on crystal orientation, and to eliminate the generation of an abnormal growth and which enables to improve a shape controllability than the conventional method. - 特許庁

光半導体集積素子構造において問題となる、誘電体マスク面積や埋め込み再成長層の成長速度の面方位依存性に起因するマスク上への張り出し成長や、マスク端での成長速度増大を回避する光半導体集積素子構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor integrated element structure for avoiding problems in the structure such as overhanging growth over a mask due to a dielectric mask area and surface orientation dependency of growth speed of a buried regrowing layer and an increase in the growth speed at a mask end, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

固体状態の相変態では、新しい結晶相は、母結晶中で特定の結晶学的方位をもつ小さな粒子として、しばしば成長する。例文帳に追加

In solid-state phase transformations, new crystalline phases frequently grow as small particles with specific crystallographic orientations within the parent crystal. 発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

上記（１００）面方位上のチャネル形成領域を含む領域にのみ、低濃度のシリコンエピタキシャル成長層１５を形成する。例文帳に追加

Only in a region which includes a channel-forming region on the (100) face orientation, a silicon epitaxial growth layer 15 of low concentration is formed. - 特許庁

圧電体薄膜として（００１）方位にエピタキシャル成長させたチタン酸バリウムの薄膜を用いる。例文帳に追加

A thin film of barium titanium is used as a piezoelectric thin film, which is epitaxially grown in a (001) orientation. - 特許庁