growth orientationとは 意味・読み方・使い方

To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing a transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece.例文帳に追加

被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。 - 特許庁

Only in a region which includes a channel-forming region on the (100) face orientation, a silicon epitaxial growth layer 15 of low concentration is formed.例文帳に追加

上記（１００）面方位上のチャネル形成領域を含む領域にのみ、低濃度のシリコンエピタキシャル成長層１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film by growth of an atom layer, which enables increase in difference in growth speed which depends on crystal orientation, and to eliminate the generation of an abnormal growth and which enables to improve a shape controllability than the conventional method.例文帳に追加

面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A crystal growth acceleration layer 31, which is effective for enhancing orientation of crystal nucleus, is formed in the region A1 of a pixel electrode 9 on an active matrix substrate 3, and a crystal growth suppression layer 32, which is effective for impeding orientation of crystal nucleus, is formed in the region A2 other than the pixel electrode 9.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板３上の画素電極９の領域A1に結晶核の配向性を高める効果のある結晶成長促進層31を形成し、画素電極９以外の領域A2に結晶核の配向性を阻害する効果のある結晶成長抑制層32を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of providing a crystal having a desired plane orientation by solid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

固相エピタキシャル成長によって、所望の面方位を有する結晶を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic film 7 laminated on the intermediate layer 6 comprises a vertical orientation 16 that is arranged at the upper portion of the conductor 15, and is subjected to crystal growth nearly in the direction perpendicular to the film surface; and a non-vertical orientation 17 that is present at a part other than the vertical orientation 16.例文帳に追加

中間層６上に積層された強磁性体膜７は、導通部１５の上方に配置され、かつ膜面に対して略垂直方向に結晶成長した垂直配向部１６と、垂直配向部１６以外の部分に存在する非垂直配向部１７とを有する。 - 特許庁

The ferromagnetic film 7 laminated on the nonmagnetic intermediate layer 6 comprises a vertical orientation 16 that is arranged at the upper portion of the conductor 15, and is subjected to crystal growth in the direction nearly perpendicular to the film surface; and a non-vertical orientation 17 that is present at a part other than the vertical orientation 16.例文帳に追加

非磁性中間層６上に積層された強磁性体膜７は、導通部１５の上方に配置され、かつ膜面に対して略垂直方向に結晶成長した垂直配向部１６と、垂直配向部１６以外の部分に存在する非垂直配向部１７とを有する。 - 特許庁

By the preferential growth in accordance with the off-orientation, the crystal defect 113A placed in the upstream side of the off orientation disappears (b), and thereby, a silicon carbide single crystal having fewer crystal defects can be produced.例文帳に追加

オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。 - 特許庁