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抵抗設計の英語
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「抵抗設計」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 298件
磁気抵抗式レゾルバの設計方法例文帳に追加
抵抗分割回路の実際の抵抗値を設計上の抵抗値に近づけ、より設計値に近い階調電圧を生成する。例文帳に追加
To generate a gray scale voltage which is much closer to a design value by making the actual resistance value of a resistance dividing circuit approach a resistance value on design. - 特許庁
半導体磁気抵抗素子およびその設計方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND ITS DESIGNING METHOD - 特許庁
土留め用引抜き抵抗体の設計方法例文帳に追加
METHOD FOR DESIGNING EXTRACTION RESISTANCE BODY FOR RETAINING SOIL - 特許庁
ダンピング抵抗値設計装置、ダンピング抵抗値設計方法、ダンピング抵抗値設計プログラム及びダンピング抵抗値設計プログラムを記録した記録媒体例文帳に追加
DEVICE, METHOD AND PROGRAM FOR DESIGNING DUMPING RESISTANCE VALUE, AND RECORDING MEDIUM WITH PROGRAM RECORDED THEREON - 特許庁
摩擦抵抗低減船およびその設計方法並びに摩擦抵抗低減船の運行方法例文帳に追加
FRICTIONAL RESISTANCE REDUCED SHIP, ITS DESIGN METHOD, AND ITS OPERATING METHOD - 特許庁
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「抵抗設計」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 298件
マッチング抵抗器用のプログラマブル抵抗材料を用いることによって、抵抗器トリミング回路が、マッチング抵抗器を可逆的にトリミングして、基準抵抗器をマッチングするように設計される。例文帳に追加
This resistor trimming circuit is designed so that a reference resistor may be matched by trimming a matching resistor reversibly using the programmable resistor material for the matching resistor. - 特許庁
指定領域内に指定された抵抗値の抵抗体を設計可能とし、設計の自由度を向上させる。例文帳に追加
To improve the degree of freedom of design by making it possible to design a resistor having a specified resistance value in a specified area. - 特許庁
ポリシリコン抵抗の設計方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
DESIGN METHOD OF POLYSILICON RESISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
抵抗フレ—ミング設計を備えたトポロジカル写像に基づくタッチスクリ—ン例文帳に追加
TOUCH SCREEN BASED ON TOPOLOGICAL MAPPING EQUIPPED WITH RESISTANCE FRAMING DESIGN - 特許庁
トンネル磁気抵抗効果素子の設計方法および磁気変換器例文帳に追加
DESIGN METHOD OF TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC CONVERTER - 特許庁
肥大船の粘性抵抗推定法、設計法および肥大船例文帳に追加
VISCOUS RESISTANCE ESTIMATING METHOD AND DESIGN METHOD FOR ENLARGED SHIP, AND ENLARGED SHIP - 特許庁
提示制御部９は、指定領域に指定抵抗値の抵抗体が配置できない場合に、設計可能な最大抵抗値を表示部４に表示する一方、指定領域に指定抵抗値の抵抗体が配置可能である場合に、上記ミアンダ形状の抵抗体を表示部４に表示する。例文帳に追加
When the resistor with the specified resistance value can not be arranged in the specified area, a presentation control part 9 displays a maximum resistance value which is designable at a display part 4 and also displays the resistor in the meander shape at the display part 4 when the resistor with the specified resistance value can be arranged in the specified area. - 特許庁
抵抗パターン１７ｂとその表面に形成された金属シリサイド層４０とで構成される抵抗素子４１を備えた半導体装置の製造方法であって、抵抗パターン１７ｂと金属シリサイド層４０との接触抵抗R_cを抵抗素子４１の設計抵抗値R_dに含めて抵抗素子４１を設計するステップＳ５を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。例文帳に追加
In the method of manufacturing the semiconductor device having the resistance element 41 comprising a resistance pattern 17b and a metal silicide layer 40 formed on a surface thereof, the method has a step S5 of designing the resistance element 41 so that contact resistance R_c between the resistance pattern 17b and metal silicide layer 40 is included in a design resistance value R_d of the resistance element 41. - 特許庁
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resistance design
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