拡散成長層の英語

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。例文帳に追加

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2. - 特許庁

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。例文帳に追加

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment. - 特許庁

成長基板上に、発光層、電流拡散層、および電流狭窄層１をこの順番で成長形成する。例文帳に追加

An emission layer, a current diffusion layer and a current constriction layer 1 are grown in this order on a growth substrate. - 特許庁

Ｍｇドープ原子がｐカバー層２０からアクティブ層１４へ拡散するのを抑圧するために（この拡散は通常、ＧａＰ窓層２２に対する高い成長温度の際に発生する）、アクティブ層１４とｐカバー層２０との間に拡散ストップ層１６が設けられている。例文帳に追加

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22). - 特許庁

そして、拡散層用のコンタクト層４とエピタキシャル成長層用のコンタクト層５とが形成され、コンタクト層４，５上に各々パッド用のアルミ電極１２が形成され、拡散層１と第１のエピタキシャル成長層２とから出力を得ることができる。例文帳に追加

A contact layer 4 for a diffused layer and a contact layer 5 for an epitaxially growing layer are formed, aluminum electrodes 12 for respective pads are formed on the layers 4 and 5, and an output can be obtained from the layer 1 and the layer 2. - 特許庁

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。例文帳に追加

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7. - 特許庁

このとき、ソース拡散層１３Ｓ及びドレイン拡散層１３Ｄの表面に形成されているシリコン酸化膜３１は、シリコン窒化膜３２に覆われているため、成長しない。例文帳に追加

Then, the film 31 formed on the surfaces of the layer 13S and a drain diffused layer 13D is not grown since the film 31 is coated with the film 32. - 特許庁

一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。例文帳に追加

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path. - 特許庁