「拡散成長層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown. - 特許庁

この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。例文帳に追加

As a result, when the buried layer 13 is grown, Zn diffusing from an upper cladding layer 23 is trapped by the diffusion protection layer 31, and counter diffusion between Zn and Fe is inhibited. - 特許庁

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。例文帳に追加

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2. - 特許庁

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。例文帳に追加

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment. - 特許庁

成長基板上に、発光層、電流拡散層、および電流狭窄層１をこの順番で成長形成する。例文帳に追加

An emission layer, a current diffusion layer and a current constriction layer 1 are grown in this order on a growth substrate. - 特許庁

Ｍｇドープ原子がｐカバー層２０からアクティブ層１４へ拡散するのを抑圧するために（この拡散は通常、ＧａＰ窓層２２に対する高い成長温度の際に発生する）、アクティブ層１４とｐカバー層２０との間に拡散ストップ層１６が設けられている。例文帳に追加

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22). - 特許庁

そして、拡散層用のコンタクト層４とエピタキシャル成長層用のコンタクト層５とが形成され、コンタクト層４，５上に各々パッド用のアルミ電極１２が形成され、拡散層１と第１のエピタキシャル成長層２とから出力を得ることができる。例文帳に追加

A contact layer 4 for a diffused layer and a contact layer 5 for an epitaxially growing layer are formed, aluminum electrodes 12 for respective pads are formed on the layers 4 and 5, and an output can be obtained from the layer 1 and the layer 2. - 特許庁

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。例文帳に追加

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7. - 特許庁

このとき、ソース拡散層１３Ｓ及びドレイン拡散層１３Ｄの表面に形成されているシリコン酸化膜３１は、シリコン窒化膜３２に覆われているため、成長しない。例文帳に追加

Then, the film 31 formed on the surfaces of the layer 13S and a drain diffused layer 13D is not grown since the film 31 is coated with the film 32. - 特許庁

一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。例文帳に追加

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path. - 特許庁

表面にベース拡散層６及び高濃度ベース拡散層７が形成された半導体基板１の表面上に絶縁膜８を成長させる。例文帳に追加

A base diffusion layer 6 and a high-density base diffused layer 7 are formed on the face of a semiconductor substrate 1, and an insulating film 8 is grown on the surface thereof. - 特許庁

ゲート電極および不純物拡散層にシリサイド膜が形成された半導体装置において、不純物拡散層のシリサイド膜の異常成長や凝集を抑える。例文帳に追加

To suppress abnormal growth and aggregation of a silicide film of an impurity diffused layer in a semiconductor device in which the silicide film is formed in a gate electrode and the impurity diffused layer. - 特許庁

隣接するＡｓ系半導体層からのＡｓの拡散を防止できるＰ系化合物半導体層を成長する。例文帳に追加

To develop a P-system compound semiconductor layer capable of preventing spreading of As from an adjacent As-system semiconductor layer. - 特許庁

そして、電流拡散層７の、電極の側において該電流阻止層を覆う部分を少なくとも、前記第二の気相成長工程により形成する。例文帳に追加

A part for covering the blocking layer at the side of an electrode of the layer 7 is formed at least by the second vapor phase growing step. - 特許庁

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。例文帳に追加

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown. - 特許庁

Ｎ型拡散層上シリサイド膜（１０９）の基板へのエピタキシャル成長の度合いと、Ｐ型拡散層層上シリサイド膜（１１０）基板へのエピタキシャル成長の度合いを、強い側に揃えることによって凝集を抑制し、シリサイド膜への金属プラグの耐熱性を向上する。例文帳に追加

The degree of epitaxial growth of the silicide film (109) on the N type diffused layer to the substrate and that of the silicide film (110) on the P type diffused layer thereto are equalized at higher degree to prevent coagulation, thereby improving heat resistance of the metal plug against the silicide film. - 特許庁

発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a light emitting element capable of maintaining a high current diffusing effect can be manufactured without growing in advance a thick current diffusing layer on the side of a peeled surface which becomes a light emitting surface, by peeling off a substrate for growing light emitting layer from a light emitting layer section. - 特許庁

そのため、リンを拡散させたｐ型シリコン基板上に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。例文帳に追加

This allows improvement in the crystallinity of the semiconductor layer which is grown on the p-type silicon substrate into which the phosphorus is diffused. - 特許庁

各プローブ２は、ＮＭＯＳＦＥＴのドレイン（高濃度拡散層）を下地として結晶成長させた突起である。例文帳に追加

Each probe 2 is a protrusion formed by crystal growth using the drain (high-density diffusion layer) of the NMOSFET as a base. - 特許庁

この発明では、ドープ層が、基板の中へとドーパントを拡散させることによってではなく、第１の基板へとエピタキシャルに成長させられる。例文帳に追加

The doped layer is grown epitaxially to a first substrate instead of a dopant diffusing into the substrate. - 特許庁

次に、レジスト膜を除去し、拡散層１５の表面に形成されているシリコン酸化膜３１を成長させるために熱酸化を行う。例文帳に追加

The method also comprises steps of removing the resist film, and thermally oxidizing so as to extend the film 31 formed on the surface of the layer 15. - 特許庁

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。例文帳に追加

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4. - 特許庁

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。例文帳に追加

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance. - 特許庁

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。例文帳に追加

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer. - 特許庁

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。例文帳に追加

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン領域１６、１７はそれぞれ、選択成長シリコン層２２と、選択成長シリコン層２２によって一括に接続された複数の分割拡散層領域２１ａとから構成する。例文帳に追加

The source/drain regions 16, 17 of MISFET are respectively formed of a selectively grown silicon layer 22 and a plurality of divided diffusion layer regions 21a that are connected integrally with the selectively grown silicon layer 22. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process. - 特許庁

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４のＣＭＯＳ形成領域とは異なる領域に、ＰｃｈＤＭＯＳトランジスタを構成する、Ｎ型チャネル拡散層２４、ソース用のＰ型高濃度拡散層２６、Ｎ型高濃度拡散層２８、ゲート酸化膜３０及びゲート電極３２が形成されている。例文帳に追加

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4. - 特許庁

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。例文帳に追加

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes. - 特許庁

上記中間層１５の成長時のＶ／III比および電流拡散層１６の成長時のＶ／III比を、結晶表面に観察される結晶欠陥の数が半導体発光素子１個当り２０個以下となるような値に設定する。例文帳に追加

The V/III ratios at the time of growing the intermediate layer 15 and current diffusing layer 16 are set so that the number of crystal defects observed on the crystalline surface of the light emitting element may become ≤20 defects. - 特許庁

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。例文帳に追加

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2. - 特許庁

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。例文帳に追加

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8. - 特許庁

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed. - 特許庁

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。例文帳に追加

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer. - 特許庁

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。例文帳に追加

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer. - 特許庁

このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。例文帳に追加

In this case, Mg is diffused into a region of the upper n^--GaN layer 11 from the lower p-GaN layer 13 together with the regrowth of the n^--GaN layer 11. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。例文帳に追加

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1. - 特許庁

ヘテロ接合を利用して、内部ベース層の低抵抗化を可能とし、かつ、エピタキシャル成長により形成されたＳｉ_1-x Ｇｅ_x Ｃ_y 層からなる内部ベース層における不純物の拡散を抑制することができる。例文帳に追加

A heterojunction allows a lower resistance of the internal base layer, while the diffusion of impurity at the internal base layer comprising the Si1-xGexCy layer formed by epitaxial growth is suppressed. - 特許庁

第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。例文帳に追加

Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７とｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８との間には、エピタキシャル成長されたＬｉＧａＯ_２からなる島状の電流阻止層１０９を設けている。例文帳に追加

The element further comprises an insular current blocking layer 109 made of an LiGaO_2 epitaxially grown between the cladding layer 107 and the layer 108. - 特許庁

この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。例文帳に追加

An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed. - 特許庁

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。例文帳に追加

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer. - 特許庁